Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 2

Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы

Bibliografiske detaljer
Parent link:	Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 18, вып. 2.— 1984.— С. 316-318
Andre forfattere:	Ардышев В. М., Веригин А. А., Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Мамонтов А. П. Аркадий Павлович, Чернов И. П. Иван Петрович
Summary:	Проведены исследования кинетики отжига областей разупорядочения (ОР), создаваемых облучением ионами серы с энергией 100 и 175 кэВ дозами D1=2.5×1010 и D2=1×1015 см-2 в GaAs. Показано, что кинетика отжига ОР в диапазоне т-р 300-873 К имеет 2 стадии. На первой стадии (T≃523 К, γ=1) отжигаются точечные дефекты, на второй (T≃748 К, γ>1) - комплексы дефектов. При перекрытии ОР на первой стадии наблюдается "обратный" отжиг уд. сопротивления ρ.
Sprog:	russisk
Udgivet:	1984
Fag:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494045

Lignende værker

Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 12
af: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Udgivet: (1982)

Термический отжиг радиационных дефектов в сильно облученном монокристалле хлористого натрия; Тезисы докладов четвертой Всесоюзной Межвузовской конференции по вопросам сегнетоэлектричества и физики неорганических диэлектриков
Udgivet: (1966)

Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
af: Ардышев М. В.
Udgivet: (2005)

Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния; 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике; Ч. 3
Udgivet: (1988)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
af: Пешев В. В. Владимир Викторович
Udgivet: (2005)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия; ФВЗЧК-2004
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2004)

Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами; Физика и техника полупроводников; Т. 17, вып. 7
af: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Udgivet: (1983)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами нитриде алюминия; Физика и химия обработки материалов; № 1
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2004)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
af: Пешев В. В. Владимир Викторович
Udgivet: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
af: Пешев В. В. Владимир Викторович
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 1999)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами нитриде алюминия; Тезисы докладов ХХХIII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 26-28 мая 2003 г.)
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2003)

Определение висмута в арсениде галлия; Промышленность химических реактивов и особо чистых веществ; № 4
af: Глуховская Р. Д.
Udgivet: (1964)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
af: Ардышев М. В.
Udgivet: (2004)

Исследование поведения кремния в эпитаксиальном арсениде галлия методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 12, вып. 9
Udgivet: (1978)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
af: Пешев В. В.
Udgivet: (2004)

Фоточувствительные центры поглощения дефектов и их комплексов в облученном ионами нитриде бора; Труды X Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 3-8 июля 2000 г.
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2000)

Радиационные эффекты в арсениде галлия при облучении нейтронами; Электронная промышленность. Наука. Технология. Изделия; № 2-3
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2002)

Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3
af: Пешев В. В. Владимир Викторович
Udgivet: (2008)

Локализованные состояния дефектов в оксиде алюминия, облученном ионами кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2006)

Центры рекомбинации и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора; Физика и химия обработки материалов; № 6
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (1997)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Udgivet: (Москва, Радио и связь, 1988)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами алюминия и кремния оксиде алюминия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2004)

Критерии правила Урбаха в облученном ионами оксиде алюминия; Труды ХVII Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 9-14 июля 2007 г.)
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2007)

Термический отжиг радиационных микродефектов в KCl-Ag; Спектры и динамика элементарных возбуждений в кристаллах
af: Заитов Ф. Н.
Udgivet: (1981)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
af: Черняев А. В. Александр Владимирович
Udgivet: (Москва, Радио и связь, 1990)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
af: Сараева В. Е.
Udgivet: (1989)

Метод постоянного графика для спектрального определения примесей в арсениде галлия: отдельный оттиск
af: Карпель Н. Г.
Udgivet: (Москва, [Б. и.], 1964)

Образование центров E4 (Ec - 0,76 эВ) в арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 45, № 2
af: Пешев В. В.
Udgivet: (2002)

Радиационные дефекты и их комплексы в облученном ионами оксиде алюминия; Физические и физико-химические основы ионной имплантации
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2000)

Радиационные дефекты и их комплексы в облученном ионами нитриде бора; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 5
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2001)

Исследования по разработке методики определения микроколичеств олова и свинца в арсениде галлия; Химия и химическая технология; Вып. 1
af: Мамонтова И. П.
Udgivet: (1973)

Определение некоторых микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением; Всесоюзная конференция по получению и анализу элементов особой чистоты
af: Катаев Г. А. Григорий Алексеевич
Udgivet: (1963)

Центры поглощения и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора; Тезисы докладов 28 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 25-28 мая 1998 г.)
af: Лопатин В. В. Владимир Васильевич
Udgivet: (1998)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Ардышев М. В.
Udgivet: (2004)

Локализованные состояния дефектов в облученных ионами диэлектриках; Физика твердого тела; Т. 37, № 7
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (1995)

Центры рекомбинации и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора; ХХVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, г. Москва, 27-29 мая 1996 г. : тезисы докладов
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (1996)

Вакуумный отжиг титановых конструкций
Udgivet: (Москва, Машиностроение, 1991)

Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Udgivet: (Москва, Наука, 1982)

Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния; Физика и техника полупроводников; Т. 10, вып. 11
af: Арефьев К. П. Константин Петрович
Udgivet: (1976)

Радиационные дефекты и их комплексы в облученном ионами нитриде бора; Тезисы докладов 30 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 29-31 мая 2000 г.)
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2000)