Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы

Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы

Bibliographic Details
Parent link:Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968-
Т. 18, вып. 2.— 1984.— С. 316-318
Other Authors: Ардышев В. М., Веригин А. А., Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Мамонтов А. П. Аркадий Павлович, Чернов И. П. Иван Петрович
Summary:Проведены исследования кинетики отжига областей разупорядочения (ОР), создаваемых облучением ионами серы с энергией 100 и 175 кэВ дозами D1=2.5×1010 и D2=1×1015 см-2 в GaAs. Показано, что кинетика отжига ОР в диапазоне т-р 300-873 К имеет 2 стадии. На первой стадии (T≃523 К, γ=1) отжигаются точечные дефекты, на второй (T≃748 К, γ>1) - комплексы дефектов. При перекрытии ОР на первой стадии наблюдается "обратный" отжиг уд. сопротивления ρ.
Language:Russian
Published: 1984
Subjects:
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494045

Similar Items

Similar Items