Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы - Ардышев В. М.; Веригин А. А.; Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич; Мамонтов А. П. Аркадий Павлович; Чернов И. П. Иван Петрович (1984, 1984)
Проведены исследования кинетики отжига областей разупорядочения (ОР), создаваемых облучением ионами серы с энергией 100 и 175 кэВ дозами D1=2.5×1010 и D2=1×1015 см-2 в GaAs. Показано, что кинетика отжига ОР в диапазоне т-р 300-873 К имеет 2 стадии. На первой стадии (T≃523 К, γ=1) отжигаются точечные дефекты, на второй (T≃748 К, γ>1) - комплексы дефектов. При перекрытии ОР на первой стадии наблюдается "обратный" отжиг уд. сопротивления ρ.