|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
494045 |
| 005 |
20250917071652.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\163549
|
| 090 |
|
|
|a 494045
|
| 100 |
|
|
|a 20121221a1984 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы
|f В. М. Ардышев [и др.]
|
| 330 |
|
|
|a Проведены исследования кинетики отжига областей разупорядочения (ОР), создаваемых облучением ионами серы с энергией 100 и 175 кэВ дозами D1=2.5×1010 и D2=1×1015 см-2 в GaAs. Показано, что кинетика отжига ОР в диапазоне т-р 300-873 К имеет 2 стадии. На первой стадии (T≃523 К, γ=1) отжигаются точечные дефекты, на второй (T≃748 К, γ>1) - комплексы дефектов. При перекрытии ОР на первой стадии наблюдается "обратный" отжиг уд. сопротивления ρ.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\403
|t Физика и техника полупроводников
|f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
|d 1968-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\156196
|t Т. 18, вып. 2
|v С. 316-318
|d 1984
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 701 |
|
1 |
|a Ардышев
|b В. М.
|
| 701 |
|
1 |
|a Веригин
|b А. А.
|
| 701 |
|
1 |
|a Крючков
|b Ю. Ю.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1945-
|g Юрий Юрьевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25821
|9 11694
|
| 701 |
|
1 |
|a Мамонтов
|b А. П.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета
|c Заслуженный изобретатель РФ
|f 1934-
|g Аркадий Павлович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21984
|
| 701 |
|
1 |
|a Чернов
|b И. П.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1935-2025
|g Иван Петрович
|x TPU
|y Томск
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\12909
|9 3694
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121221
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121221
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
