Bibliographic Details
| Parent link: | Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968-
Т. 18, вып. 2.— 1984.— С. 316-318 |
|---|
| Other Authors: |
Ардышев В. М.,
Веригин А. А.,
Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич,
Мамонтов А. П. Аркадий Павлович,
Чернов И. П. Иван Петрович |
|---|
| Summary: | Проведены исследования кинетики отжига областей разупорядочения (ОР), создаваемых облучением ионами серы с энергией 100 и 175 кэВ дозами D1=2.5×1010 и D2=1×1015 см-2 в GaAs. Показано, что кинетика отжига ОР в диапазоне т-р 300-873 К имеет 2 стадии. На первой стадии (T≃523 К, γ=1) отжигаются точечные дефекты, на второй (T≃748 К, γ>1) - комплексы дефектов. При перекрытии ОР на первой стадии наблюдается "обратный" отжиг уд. сопротивления ρ. |
|---|
| Language: | Russian |
|---|
| Published: |
1984
|
|---|
| Subjects: | |
|---|
| Format: | Book Chapter
|
|---|
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494045 |
|---|
