Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами

Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами

Bibliographic Details
Parent link:Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968-
Т. 17, вып. 7.— 1983.— С. 1242-1245
Main Author: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Other Authors: Пешев В. В., Чернов И. П. Иван Петрович
Summary:Методом нестационарной емкостной спектроскопии исследовались накопление и отжиг глубоких центров в нейтральном объеме и области пространственного заряда ОПЗ GaAs при облучении протонами с энергией 10 МэВ. Показано, что эл. поле не влияет на накопление центров Е3. Установлено, что эл. поле ОПЗ замедляет отжиг центров Е3 и Е5 и что отжиг центров Е3 и Е5 в нейтральном объеме имеет вторую стадию, которая объясняется влиянием внутренних эл. полей областей разупорядочения. Определены скорости накопления центров Е2, Е3, Е5 и энергии активации отжига данных центров в нейтральном объеме и ОПЗ.
Language:Russian
Published: 1983
Subjects:
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494041

Similar Items

Similar Items