Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами; Физика и техника полупроводников; Т. 17, вып. 7
| Parent link: | Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 17, вып. 7.— 1983.— С. 1242-1245 |
|---|---|
| Autore principale: | |
| Altri autori: | , |
| Riassunto: | Методом нестационарной емкостной спектроскопии исследовались накопление и отжиг глубоких центров в нейтральном объеме и области пространственного заряда ОПЗ GaAs при облучении протонами с энергией 10 МэВ. Показано, что эл. поле не влияет на накопление центров Е3. Установлено, что эл. поле ОПЗ замедляет отжиг центров Е3 и Е5 и что отжиг центров Е3 и Е5 в нейтральном объеме имеет вторую стадию, которая объясняется влиянием внутренних эл. полей областей разупорядочения. Определены скорости накопления центров Е2, Е3, Е5 и энергии активации отжига данных центров в нейтральном объеме и ОПЗ. |
| Lingua: | russo |
| Pubblicazione: |
1983
|
| Soggetti: | |
| Natura: | Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494041 |