Bibliographic Details
| Parent link: | Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968-
Т. 17, вып. 7.— 1983.— С. 1242-1245 |
|---|
| Main Author: |
Мамонтов А. П. Аркадий Павлович |
|---|
| Other Authors: |
Пешев В. В.,
Чернов И. П. Иван Петрович |
|---|
| Summary: | Методом нестационарной емкостной спектроскопии исследовались накопление и отжиг глубоких центров в нейтральном объеме и области пространственного заряда ОПЗ GaAs при облучении протонами с энергией 10 МэВ. Показано, что эл. поле не влияет на накопление центров Е3. Установлено, что эл. поле ОПЗ замедляет отжиг центров Е3 и Е5 и что отжиг центров Е3 и Е5 в нейтральном объеме имеет вторую стадию, которая объясняется влиянием внутренних эл. полей областей разупорядочения. Определены скорости накопления центров Е2, Е3, Е5 и энергии активации отжига данных центров в нейтральном объеме и ОПЗ. |
|---|
| Language: | Russian |
|---|
| Published: |
1983
|
|---|
| Subjects: | |
|---|
| Format: | Book Chapter
|
|---|
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494041 |
|---|
