Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Физика и техника полупроводников.— , 1968- Т. 11, вып. 4.— 1977.— С. 651-655
Altri autori:	Воробьев А. А. Александр Акимович, Арефьев К. П. Константин Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Каретников А. С., Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н., Хашимов Ф. Р., Маркова Т. И.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	1977
Soggetti:	труды учёных ТПУ
Natura:	Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494040

Documenti analoghi

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами
di: Арефьев К. П. Константин Петрович
Pubblicazione: (1983)

Особенности аннигиляции позитронов в наноразмерных металлических слоях Zr/Nb
di: Ломыгин А. Д. Антон Дмитриевич
Pubblicazione: (2021)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами
Pubblicazione: (1979)

Исследование электронной структуры стекол методом аннигиляции позитронов
di: Воробьев А. А. Александр Акимович
Pubblicazione: (1978)

Особенности аннигиляции позитронов в наноразмерных металлических слоях Zr/Nb после облучения протонами
di: Фань Ц.
Pubblicazione: (2024)

Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов
Pubblicazione: (2018)

Поляризационный эффект аннигиляции позитронов в ионных кристаллах
Pubblicazione: (1979)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
Pubblicazione: (2011)

Об аннигиляции позитронов в кристаллах с дефектной структурой
Pubblicazione: (1976)

Исследование позитронной аннигиляции с применением источника позитронов 64Cu
di: Чэнь В.
Pubblicazione: (2017)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons
di: Peshev V. V.
Pubblicazione: (2007)

Определение импульсной плотности электронов вещества методом аннигиляции позитронов
di: Арефьев К. П. Константин Петрович
Pubblicazione: (1976)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons
di: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Pubblicazione: (2015)

Определение износостойкости твердосплавных инструментальных материалов методом аннигиляции позитронов
Pubblicazione: (1985)

Исследование дефектов структуры пиронитрида бора методами аннигиляции позитронов и рентгеноструктурного анализа
Pubblicazione: (1984)

Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов
Pubblicazione: (1978)

Определение плотности импульсного распределения электронов вещества методом аннигиляции позитронов
di: Арефьев К. П. Константин Петрович
Pubblicazione: (1974)

Применение метода аннигиляции позитронов для изучения степени дефектности монокристаллов
di: Воробьев А. А. Александр Акимович
Pubblicazione: (1974)

Исследование дефектности микроклина методами аннигиляции позитронов, электропроводности и импульсного электромагнитного излучения
Pubblicazione: (1981)

Применение метода аннигиляции позитронов для изучения дефектных ионных монокристаллов
di: Воробьев А. А. Александр Акимович
Pubblicazione: (1974)

Определение степени накопления усталостных повреждений в сплавах методом аннигиляции позитронов
Pubblicazione: (1987)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs
Pubblicazione: (2004)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)
Pubblicazione: (2005)

Изучение стадий усталостного нарушения сплавов ВНС-25 методом аннигиляции позитронов
di: Арефьев К. П. Константин Петрович
Pubblicazione: (1983)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field
Pubblicazione: (1976)

Определение характеристик аннигиляции позитронов в дислокациях сплава Zr1%Nb
di: Бордулёв Ю. С. Юрий Сергеевич
Pubblicazione: (2020)

Параметры аннигиляции позитронов в наноразмерных металлических многослойных системах Zr\Nb
di: Лаптев Р. С. Роман Сергеевич
Pubblicazione: (2021)

Изучение зарядового состояния примесных атомов в полупроводниковых материалах методом аннигиляции позитронов
Pubblicazione: (1977)

Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках
Pubblicazione: (1983)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Pubblicazione: (1998)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
di: Пешев В. В.
Pubblicazione: (2004)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2010)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель
di: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Pubblicazione: (2012)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation
Pubblicazione: (2009)

Метод определения содержания водорода в поверхностных слоях материалов
Pubblicazione: (1980)

Применение метода аннигиляции позитронов для выявления усталостных нарушений сплошности в конструкционных сплавах
Pubblicazione: (1986)

Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2011)

Исследование степени накопления усталостных повреждений в сплавах методом аннигиляции позитронов отчет о НИР (заключительный) тема: х/д 7-77/83
Pubblicazione: (Томск, 1985)

Получение монохроматических пучков гамма-квантов методом аннигиляции позитронов на лету в синхротроне
Pubblicazione: (1967)