Исследование радиационно-стимулированной диффузии иновалентных примесей в ионных кристаллах; Перспективные материалы; № 1

Bibliografiske detaljer
Parent link:Перспективные материалы: научный журнал.— , 1996-
№ 1.— 2000.— С. 30-34
Andre forfattere: Суржиков А. П. Анатолий Петрович, Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич, Чернявский А. В. Александр Викторович, Притулов А. М. Александр Михайлович
Summary:Исследована диффузия гетеровалентных ионов Al3+ и Mg2+ в монокристаллах бромида калия в условиях интенсивного электронного облучения. Выявление радиационных эффектов осуществлялось сравнением с диффузией при тепловом нагреве с аналогичными температурами и длительности отжига. Измерения диффузионных профилей производились на масс-спектрометре МС-7021М. Приняты спец. меры для подавления эффекта кратера. Показано, что температурные зависимости коэффициентов диффузии при термическом и радиационно-термич. отжиге имеют аррениусовский вид. В рамках вакансионного механизма диффузии предложена модель процессоров, происходящих при радиационно-стимулированной диффузии иновалентных примесей в ионных кристаллах
Sprog:russisk
Udgivet: 2000
Fag:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494016

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 494016
005 20240215115155.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\163519 
035 |a RU\TPU\prd\163329 
090 |a 494016 
100 |a 20121219a2000 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Исследование радиационно-стимулированной диффузии иновалентных примесей в ионных кристаллах  |f А. П. Суржиков [и др.] 
330 |a Исследована диффузия гетеровалентных ионов Al3+ и Mg2+ в монокристаллах бромида калия в условиях интенсивного электронного облучения. Выявление радиационных эффектов осуществлялось сравнением с диффузией при тепловом нагреве с аналогичными температурами и длительности отжига. Измерения диффузионных профилей производились на масс-спектрометре МС-7021М. Приняты спец. меры для подавления эффекта кратера. Показано, что температурные зависимости коэффициентов диффузии при термическом и радиационно-термич. отжиге имеют аррениусовский вид. В рамках вакансионного механизма диффузии предложена модель процессоров, происходящих при радиационно-стимулированной диффузии иновалентных примесей в ионных кристаллах 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\485  |t Перспективные материалы  |o научный журнал  |d 1996- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\93917  |t № 1  |v С. 30-34  |d 2000 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Суржиков  |b А. П.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1951-  |g Анатолий Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010  |9 9307 
701 1 |a Гынгазов  |b С. А.  |c специалист в области электроники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1958-  |g Сергей Анатольевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531  |9 12225 
701 1 |a Чернявский  |b А. В.  |c специалист в области электроники  |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1966-  |g Александр Викторович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26556 
701 1 |a Притулов  |b А. М.  |c российский учёный в области электроники, диэлектриков и полупроводников  |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета  |g Александр Михайлович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28169 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20101024 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160624  |g RCR 
942 |c BK