Модифицирование свойств циркониевой керамики сильноточным пучком низкоэнергетических электронов

Bibliographic Details
Parent link:Перспективные материалы.— , 1996-
№ 4.— 2006.— С. 58-64
Other Authors: Суржиков А. П. Анатолий Петрович, Франгульян Т. С. Тамара Семёновна, Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич, Мельников А. Г. Александр Григорьевич, Коваль Н. Н. Николай Николаевич, Девятков Д. Н.
Summary:Изучено влияние сильноточного импульсного пучка низкоэнергетических электронов (СИПНЭ) с плотностью энергии в импульсе W[и]=13,5 Дж/см{2} на приповерхностные слои частично стабилизированного диоксида циркония. Установлено, что при таком воздействии происходит образование сетки трещин, в результате чего структура поверхности приобретает фрагментарный характер со средним размером фрагмента 24 мкм. Обнаружено изменение фазового состава циркониевой керамики (ЦК), обусловленное переходом моноклинной фазы в тетрагональную, а также рост электропроводности приповерхностных слоев. Исследовано действие электронной обработки на микротвердость приповерхностных слоев керамики. Анализ результатов проведен с учетом вклада упругого восстановления отпечатка индентора в эффекты ее радиационного изменения. Установлено, что упругое восстановление отпечатка в модифицированном СИПНЭ приповерхностном слое протекает более эффективно. Учет этого фактора позволил выявить реальное влияние электронной обработки на микротвердость керамики
Published: 2006
Subjects:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=493861
Description
Summary:Изучено влияние сильноточного импульсного пучка низкоэнергетических электронов (СИПНЭ) с плотностью энергии в импульсе W[и]=13,5 Дж/см{2} на приповерхностные слои частично стабилизированного диоксида циркония. Установлено, что при таком воздействии происходит образование сетки трещин, в результате чего структура поверхности приобретает фрагментарный характер со средним размером фрагмента 24 мкм. Обнаружено изменение фазового состава циркониевой керамики (ЦК), обусловленное переходом моноклинной фазы в тетрагональную, а также рост электропроводности приповерхностных слоев. Исследовано действие электронной обработки на микротвердость приповерхностных слоев керамики. Анализ результатов проведен с учетом вклада упругого восстановления отпечатка индентора в эффекты ее радиационного изменения. Установлено, что упругое восстановление отпечатка в модифицированном СИПНЭ приповерхностном слое протекает более эффективно. Учет этого фактора позволил выявить реальное влияние электронной обработки на микротвердость керамики