Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3

Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3

Bibliographic Details
Parent link:	Физика и химия обработки материалов/ Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ).— , 1968- № 3.— 1998.— С. 91-95
Main Author:	Ардышев В. М.
Other Authors:	Пешев В. В., Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Summary:	Методами измерения уд. электросопротивления, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние типа постимплантационного отжига на характеристики имплантированных кремнием слоев полуизолирующего GaAs. Показано, что "радиационный" отжиг пучками электронов с энергией E=1-2 МэВ (T=630°C) обеспечивает высокую степень активации имплантированного кремния, стабильность сопротивления, воспроизводимость концентрационных профилей и наименьшую конц-ию глубоких уровней дефектов
Language:	Russian
Published:	1998
Subjects:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=493836

Similar Items

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2
Published: (1998)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Published: (2004)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
by: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Published: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии
by: Госсен А. И.
Published: (1996)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
by: Нишизава Дж.-И.
Published: (2003)

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2015)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
by: Тяжлов В. С.
Published: (Саратов, СГУ, 2019)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
by: Тихов С. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Поверхностная проводимость ионно-легированных неорганических диэлектриков; Ионно-лучевая модификация материалов, 23-25 июня 1987 г., Черноголовка
by: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Published: (1987)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
by: Дорохин М. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Влияние ультрафиолетового облучения на термическую стабильность хлорида серебра; Вестник Томского государственного университета. Химия; № 2 (4)
by: Мостовщиков А. В. Андрей Владимирович
Published: (2016)

Стимулированная радиацией электрическая активация кремния, имплантированного в GaAs; Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск
by: Ардышев В. М.
Published: (1998)

Влияние СВЧ-излучения на термическую стабильность нанопорошка алюминия; Письма в Журнал технической физики; Т. 42, № 7
Published: (2016)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
by: Клименов В. А. Василий Александрович
Published: (2012)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Published: (2004)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
by: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Published: (2012)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
by: Байдусь Н. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)

Структура и свойства чугунов, легированных медью после графитизирующего отжига; Современные технологии и материалы новых поколений
Published: (2017)

Температурная стабильность работающих на просвет фотокатодов Ga-As; Импульсная фотометрия; Вып. 9
by: Заргарьянц М. Н.
Published: (1986)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
by: Крылов П.Н.
Published: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)

Влияние термообработки на электрическую проводимость ионно-модифицированных слоев кристаллического кварца
Published: (Томск, 1993)

Плодородие почв различных видов ландшафта
by: Чимитдоржиева И. Б.
Published: (Улан-Удэ, Бурятская ГСХА им. В.Р. Филиппова, 2019)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1983)

Влияние кручения под давлением и равноканального углового прессования на структуру и термическую стабильность стали; Уральская школа молодых металловедов; Ч. 1
by: Кошовкина В. С. Вера Сергеевна
Published: (2015)

Исследование влияния высокодисперстных наполнителей на термическую стабильность и механическую прочность эпоксидных композитов; Неразрушающий контроль: электронное приборостроение, технологии, безопасность; Т. 2
by: Мельникова Т. В.
Published: (2015)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Published: (1976)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Published: (2009)

СВЧ-приборы и интегральные микросхемы: Полевые транзисторы GaAs с затвором в виде барьера Шоттк учебно-методическое пособие
by: Кольцов Г. И.
Published: (Москва, МИСИС, 1998)

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2005)

Материалы и элементы электронной техники : Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев практикум
by: Полисан А. А.
Published: (Москва, МИСИС, 2007)

Свойства легированных полупроводников
Published: (Москва, Наука, 1977)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Published: (2007)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
by: Филонов Н. Г.
Published: (2002)