Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3
| Parent link: | Физика и химия обработки материалов/ Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ).— , 1968- № 3.— 1998.— С. 91-95 |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակ: | |
| Այլ հեղինակներ: | , |
| Ամփոփում: | Методами измерения уд. электросопротивления, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние типа постимплантационного отжига на характеристики имплантированных кремнием слоев полуизолирующего GaAs. Показано, что "радиационный" отжиг пучками электронов с энергией E=1-2 МэВ (T=630°C) обеспечивает высокую степень активации имплантированного кремния, стабильность сопротивления, воспроизводимость концентрационных профилей и наименьшую конц-ию глубоких уровней дефектов |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
1998
|
| Խորագրեր: | |
| Ձևաչափ: | Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=493836 |
Նմանատիպ նյութեր
Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
: Ардышев М. В.
Հրապարակվել է: (2002)
: Ардышев М. В.
Հրապարակվել է: (2002)
Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2
Հրապարակվել է: (1998)
Հրապարակվել է: (1998)
Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Հրապարակվել է: (2004)
Հրապարակվել է: (2004)
Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Հրապարակվել է: (Кишинев, Штиинца, 1987)
: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Հրապարակվել է: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
: Ардышев М. В.
Հրապարակվել է: (2004)
: Ардышев М. В.
Հրապարակվել է: (2004)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Հրապարակվել է: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Հրապարակվել է: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии
: Госсен А. И.
Հրապարակվել է: (1996)
: Госсен А. И.
Հրապարակվել է: (1996)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
: Нишизава Дж.-И.
Հրապարակվել է: (2003)
: Нишизава Дж.-И.
Հրապարակվել է: (2003)
Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3
: Ардышев М. В.
Հրապարակվել է: (2004)
: Ардышев М. В.
Հրապարակվել է: (2004)
Выращивание фотодиодных структур на основе InGaAs и InAlGaAs на подложке GaAs методом МОСГЭ. Практикум
: Байдусь Н. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2025)
: Байдусь Н. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2025)
Поверхностная проводимость ионно-легированных неорганических диэлектриков; Ионно-лучевая модификация материалов, 23-25 июня 1987 г., Черноголовка
: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Հրապարակվել է: (1987)
: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Հրապարակվել է: (1987)
Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Հրապարակվել է: (2015)
: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Հրապարակվել է: (2015)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2010)
: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2010)
Влияние ультрафиолетового облучения на термическую стабильность хлорида серебра; Вестник Томского государственного университета. Химия; № 2 (4)
: Мостовщиков А. В. Андрей Владимирович
Հրապարակվել է: (2016)
: Мостовщиков А. В. Андрей Владимирович
Հրապարակվել է: (2016)
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
: Тяжлов В. С.
Հրապարակվել է: (Саратов, СГУ, 2019)
: Тяжлов В. С.
Հրապարակվել է: (Саратов, СГУ, 2019)
Стимулированная радиацией электрическая активация кремния, имплантированного в GaAs; Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск
: Ардышев В. М.
Հրապարակվել է: (1998)
: Ардышев В. М.
Հրապարակվել է: (1998)
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
: Тихов С. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
: Тихов С. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
: Дорохин М. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
: Дорохин М. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
: Клименов В. А. Василий Александрович
Հրապարակվել է: (2012)
: Клименов В. А. Василий Александрович
Հրապարակվել է: (2012)
Влияние СВЧ-излучения на термическую стабильность нанопорошка алюминия; Письма в Журнал технической физики; Т. 42, № 7
Հրապարակվել է: (2016)
Հրապարակվել է: (2016)
Структура и свойства чугунов, легированных медью после графитизирующего отжига; Современные технологии и материалы новых поколений
Հրապարակվել է: (2017)
Հրապարակվել է: (2017)
Плодородие почв различных видов ландшафта
: Чимитдоржиева И. Б.
Հրապարակվել է: (Улан-Удэ, Бурятская ГСХА им. В.Р. Филиппова, 2019)
: Чимитдоржиева И. Б.
Հրապարակվել է: (Улан-Удэ, Бурятская ГСХА им. В.Р. Филиппова, 2019)
Температурная стабильность работающих на просвет фотокатодов Ga-As; Импульсная фотометрия; Вып. 9
: Заргарьянц М. Н.
Հրապարակվել է: (1986)
: Заргарьянц М. Н.
Հրապարակվել է: (1986)
Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Հրապարակվել է: (2012)
: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Հրապարակվել է: (2012)
Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Հրապարակվել է: (2004)
Հրապարակվել է: (2004)
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
: Пешев В. В.
Հրապարակվել է: (2004)
: Пешев В. В.
Հրապարակվել է: (2004)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2012)
: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2012)
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
: Байдусь Н. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
: Байдусь Н. В.
Հրապարակվել է: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
: Крылов П.Н.
Հրապարակվել է: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)
: Крылов П.Н.
Հրապարակվել է: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)
Влияние термообработки на электрическую проводимость ионно-модифицированных слоев кристаллического кварца
Հրապարակվել է: (Томск, 1993)
Հրապարակվել է: (Томск, 1993)
Стратегия выполнения различных видов переводов учебно-методическое пособие
: Юсупова Ю. Р.
Հրապարակվել է: (Уфа, БГПУ имени М. Акмуллы, 2014)
: Юсупова Ю. Р.
Հրապարակվել է: (Уфа, БГПУ имени М. Акмуллы, 2014)
Установка ионно-плазменной обработки изделий
Հրապարակվել է: ()
Հրապարակվել է: ()
Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1983)
: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1983)
Исследование влияния высокодисперстных наполнителей на термическую стабильность и механическую прочность эпоксидных композитов; Неразрушающий контроль: электронное приборостроение, технологии, безопасность; Т. 2
: Мельникова Т. В.
Հրապարակվել է: (2015)
: Мельникова Т. В.
Հրապարակվել է: (2015)
Влияние кручения под давлением и равноканального углового прессования на структуру и термическую стабильность стали; Уральская школа молодых металловедов; Ч. 1
: Кошовкина В. С. Вера Сергеевна
Հրապարակվել է: (2015)
: Кошовкина В. С. Вера Сергеевна
Հրապարակվել է: (2015)
Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.
: Пешев В. В. Владимир Викторович
Հրապարակվել է: (2005)
: Пешев В. В. Владимир Викторович
Հրապարակվել է: (2005)
Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Հրապարակվել է: (1976)
Հրապարակվել է: (1976)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Հրապարակվել է: (2009)
Հրապարակվել է: (2009)
Материалы и элементы электронной техники : Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев практикум
: Полисан А. А.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2007)
: Полисан А. А.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2007)
Свойства легированных полупроводников
Հրապարակվել է: (Москва, Наука, 1977)
Հրապարակվել է: (Москва, Наука, 1977)