Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs

Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Физика и химия обработки материалов/ Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ).— , 1968- № 3.— 1998.— С. 91-95
1. Verfasser:	Ардышев В. М.
Weitere Verfasser:	Пешев В. В., Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Zusammenfassung:	Методами измерения уд. электросопротивления, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние типа постимплантационного отжига на характеристики имплантированных кремнием слоев полуизолирующего GaAs. Показано, что "радиационный" отжиг пучками электронов с энергией E=1-2 МэВ (T=630°C) обеспечивает высокую степень активации имплантированного кремния, стабильность сопротивления, воспроизводимость концентрационных профилей и наименьшую конц-ию глубоких уровней дефектов
Veröffentlicht:	1998
Schlagworte:	труды учёных ТПУ
Format:	Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=493836

Ähnliche Einträge

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2002)

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига
Veröffentlicht: (1998)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению
Veröffentlicht: (2004)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
Veröffentlicht: (2011)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs
Veröffentlicht: (2004)

Влияние СВЧ-излучения на термическую стабильность нанопорошка алюминия
Veröffentlicht: (2016)

Влияние ультрафиолетового облучения на термическую стабильность хлорида серебра
von: Мостовщиков А. В. Андрей Владимирович
Veröffentlicht: (2016)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2004)

Поверхностная проводимость ионно-легированных неорганических диэлектриков
von: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Veröffentlicht: (1987)

Структура и свойства чугунов, легированных медью после графитизирующего отжига
Veröffentlicht: (2017)

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2004)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons
von: Peshev V. V.
Veröffentlicht: (2007)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
von: Пешев В. В.
Veröffentlicht: (2004)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons
von: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Veröffentlicht: (2015)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
von: Клименов В. А. Василий Александрович
Veröffentlicht: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
von: Нишизава Дж.-И.
Veröffentlicht: (2003)

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
von: Пешев В. В. Владимир Викторович
Veröffentlicht: (2005)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2010)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
von: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
von: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Veröffentlicht: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Температурная стабильность работающих на просвет фотокатодов Ga-As
von: Заргарьянц М. Н.
Veröffentlicht: (1986)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Veröffentlicht: (1998)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель
von: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Veröffentlicht: (2012)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field
Veröffentlicht: (1976)

Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs
Veröffentlicht: (2006)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (1983)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta
von: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Veröffentlicht: (2015)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2012)

Особенности импульсного отжига слоёв кремния, имплантированных ионами германия
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияния высокодисперстных наполнителей на термическую стабильность и механическую прочность эпоксидных композитов
von: Мельникова Т. В.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия
von: Чернявский А. В. Александр Викторович
Veröffentlicht: (2011)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами
Veröffentlicht: (1979)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
von: Синягина М. А.
Veröffentlicht: (2013)

Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии
von: Демарина Н. В.
Veröffentlicht: (2002)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs
Veröffentlicht: (1977)

Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation
von: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Veröffentlicht: (2011)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation
Veröffentlicht: (2009)

Свойства легированных полупроводников
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1977)

Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs
Veröffentlicht: (1981)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)
Veröffentlicht: (2005)