Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3

Bibliografiset tiedot
Parent link:Физика и химия обработки материалов/ Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ).— , 1968-
№ 3.— 1998.— С. 91-95
Päätekijä: Ардышев В. М.
Muut tekijät: Пешев В. В., Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Yhteenveto:Методами измерения уд. электросопротивления, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние типа постимплантационного отжига на характеристики имплантированных кремнием слоев полуизолирующего GaAs. Показано, что "радиационный" отжиг пучками электронов с энергией E=1-2 МэВ (T=630°C) обеспечивает высокую степень активации имплантированного кремния, стабильность сопротивления, воспроизводимость концентрационных профилей и наименьшую конц-ию глубоких уровней дефектов
Kieli:venäjä
Julkaistu: 1998
Aiheet:
Aineistotyyppi: Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=493836

Samankaltaisia teoksia