|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
493836 |
| 005 |
20240131111103.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\163300
|
| 090 |
|
|
|a 493836
|
| 100 |
|
|
|a 20121214a1998 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs
|f В. М. Ардышев, В. В. Пешев, А. П. Суржиков
|
| 330 |
|
|
|a Методами измерения уд. электросопротивления, вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние типа постимплантационного отжига на характеристики имплантированных кремнием слоев полуизолирующего GaAs. Показано, что "радиационный" отжиг пучками электронов с энергией E=1-2 МэВ (T=630°C) обеспечивает высокую степень активации имплантированного кремния, стабильность сопротивления, воспроизводимость концентрационных профилей и наименьшую конц-ию глубоких уровней дефектов
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\404
|t Физика и химия обработки материалов
|f Российская академия наук (РАН), Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова (ИМЕТ)
|d 1968-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\94341
|t № 3
|v С. 91-95
|d 1998
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 700 |
|
1 |
|a Ардышев
|b В. М.
|
| 701 |
|
1 |
|a Пешев
|b В. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Суржиков
|b А. П.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1951-
|g Анатолий Петрович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010
|9 9307
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121214
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121226
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
