Радиационно-термическая активация кремния, имплантированного в арсенид галлия

Dettagli Bibliografici
Parent link:Физика и техника полупроводников.— , 1968-
Т. 33, вып. 6.— 1999.— С. 687-690
Autore principale: Ардышев В. М.
Altri autori: Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Lingua:russo
Pubblicazione: 1999
Soggetti:
Natura: Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=487764

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 487764
005 20240131090143.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\155830 
035 |a RU\TPU\tpu\21872 
090 |a 487764 
100 |a 20121022a1999 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Радиационно-термическая активация кремния, имплантированного в арсенид галлия  |f В. М. Ардышев, А. П. Суржиков 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\403  |t Физика и техника полупроводников  |d 1968- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\156426  |t Т. 33, вып. 6  |v С. 687-690  |d 1999 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Ардышев  |b В. М. 
701 1 |a Суржиков  |b А. П.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1951-  |g Анатолий Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010  |9 9307 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20120913 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20121220  |g RCR 
942 |c BK