Захват позитронов радиационными дефектами в Si n- и p-типа; Физика твердого тела; Т. 23, № 5

Захват позитронов радиационными дефектами в Si n- и p-типа

Библиографические подробности
Источник:	Физика твердого тела/ Российская академия наук ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе.— , 1959- Т. 23, № 5.— 1981.— С. 1542-1545
Другие авторы:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Блецкан Н. И., Кузнецов П. В., Прокопьев Е. П.
Язык:	русский
Опубликовано:	1981
Предметы:	труды учёных ТПУ
Формат:	Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=487475

Схожие документы

Захват позитронов F-центрами в закаленных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 2
Опубликовано: (1973)

Промышленные печи с радиационными трубами
по: Еринов А. Е. Анатолий Еремеевич
Опубликовано: (Москва, Металлургия, 1977)

Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах кремния n- и p-типа; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 7
по: Арефьев К. П. Константин Петрович
Опубликовано: (1982)

Захват: Роман
по: Крутов И. В. Игорь Владимирович
Опубликовано: (Москва, ЭКСМО, 1997)

Радиационный захват нейтронов: Справочник
Опубликовано: (Москва, Энергоатомиздат, 1986)

Изгиб тонких пластин с дефектами типа трещин
по: Бережницкий Л. Т. Лев Теодорович
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1979)

Нестационарные процессы в телах с дефектами типа трещин
по: Кит Г. С. Григорий Семёнович
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1992)

Радиационный захват быстрых нейронов
Опубликовано: (Москва, Атомиздат, 1970)

Физика p - n-переходов
Опубликовано: (Рига, Зинатне, 1966)

Изгиб трансверсально-изотропных пластин с дефектами типа трещин
по: Мазурак Л. П. Любомир Петрович
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1990)

Физика кристаллов с дефектами
Опубликовано: (Москва, Изд-во МГУ, 1986)

Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами: учебник для вузов
по: Ковтуненко П. В. Павел Васильевич
Опубликовано: (Москва, Высшая школа, 1993)

Поглощение мезонов атомными ядрами (μ-захват и радиоактивный захват π- и K-мезонов)
по: Балашов В. В. Всеволод Вячеславович
Опубликовано: (Москва, Атомиздат, 1978)

Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах p-n-p-n структуры
по: Арефьев А. А. Александр Афанасьевич
Опубликовано: (Москва, Радио и связь, 1982)

Открытие элементарных частиц. Нуклоны P, N и антинуклоны P, N
по: Вяльцев А. Н. Анатолий Николаевич
Опубликовано: (Москва, Наука, 1984)

Аннигиляция позитронов в кремнии, облученном электронами; Физика твердого тела; Т. 19, № 8
Опубликовано: (1977)

Аннигиляция позитронов в насыщенном водородом титане; Физика твердого тела; Т. 45, № 1
Опубликовано: (2003)

Примесные состояния позитронов в ионных кристаллофосфорах; Физика твердого тела; Т. 22, № 1
Опубликовано: (1980)

Аннигиляция позитронов в ориентированном монокристалле KBr; Физика твердого тела; Т. 13, № 3
по: Арефьев К. П. Константин Петрович
Опубликовано: (1971)

Аннигиляция позитронов в облученных протонами монокристаллах LiH; Физика твердого тела; Т. 23, № 8
Опубликовано: (1981)

Центры захвата позитронов в аддитивноокрашенных кристаллах NaBr; Физика твердого тела; Т. 23, № 3
по: Арефьев К. П. Константин Петрович
Опубликовано: (1981)

Основы радиационных технологий . Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+ –p–p+ (p+–n–n+)- типа методические указания
по: Полисан А. А.
Опубликовано: (Москва, МИСИС, 2007)

Влияние температуры на аннигиляцию позитронов в монокристаллах; Физика твердого тела; Т. 15, № 2
по: Арефьев К. П. Константин Петрович
Опубликовано: (1973)

Поляризационный эффект аннигиляции позитронов в ионных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 21, № 8
Опубликовано: (1979)

Аннигиляция позитронов в кристаллах KBr, активированных ионами Li+; Физика твердого тела; Т. 24, № 5
Опубликовано: (1982)

Химия кристаллов с дефектами: пер. с англ.
по: Риз А.
Опубликовано: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1956)

О захвате термализованных позитронов активаторными примесями в кристаллах; Физика твердого тела; Т. 18, № 8
Опубликовано: (1976)

Центры захвата позитронов в облученных электронами кристаллах KCl; Физика твердого тела; Т. 21, № 1
Опубликовано: (1979)

Экспериментальное исследование слоистых композиционных материалов с технологическими дефектами типа отслоений; Современные техника и технологии; Т. 1
по: Чермошенцева А. С.
Опубликовано: (2010)

Управляемые полупроводниковые вентили. Принцицы действия и области применения p-n-p-n устройств: пер. с англ.
Опубликовано: (Москва, Мир, 1967)

Кристаллические структуры двойных соединений (Соединения элементов с Ве, В, С, N, Mg, Al, Si, P): справочник
по: Матюшенко Н. Н. Николай Николаевич
Опубликовано: (Москва, Металлургия, 1969)

Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
по: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Опубликовано: (Ленинград, Энергия, 1980)

Определение импульсной плотности электронов вещества методом аннигиляции позитронов; Физика твердого тела; Т. 18, № 11
по: Арефьев К. П. Константин Петрович
Опубликовано: (1976)

Аннигиляция позитронов в монокристалле MgO, легированном Al3+; Физика твердого тела; Т. 18, № 3
по: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубликовано: (1976)

Регулярные кусочно-однородные структуры с дефектами
по: Григолюк Э. И. Эдуард Иванович
Опубликовано: (Москва, Физматлит, 1994)

Измерение электрофизических характеристик p-n перехода практикум
по: Оболенская Е. С.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2019)

Радиационная физика кристаллов и p-n- переходов: сборник статей
Опубликовано: (Минск, Наука и техника, 1972)

Features of microstructure of ZrN, Si3N4 and ZrN/SiNx nanoscale films irradiated by Xe ions; Vacuum; Vol. 143
Опубликовано: (2017)

Неравновесный захват примеси при кристаллизации разбавленного бинарного сплава Статья
по: Данилов Д.А.
Опубликовано: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)

Физическая химия кристаллов с дефектами: учебное пособие для вузов
по: Синельников Б. М. Борис Михайлович
Опубликовано: (Москва, Высшая школа, 2005)