Определение плотности импульсного распределения электронов вещества методом аннигиляции позитронов; Известия вузов. Физика; № 8

Определение плотности импульсного распределения электронов вещества методом аннигиляции позитронов

Chi tiết về thư mục
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- № 8.— 1974.— С. 103-109
Tác giả chính:	Арефьев К. П. Константин Петрович
Tác giả khác:	Воробьев С. А. Сергей Александрович, Этин Г. И.
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	1974
Những chủ đề:	труды учёных ТПУ
Định dạng:	Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=485953

Những quyển sách tương tự

Определение импульсной плотности электронов вещества методом аннигиляции позитронов; Физика твердого тела; Т. 18, № 11
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1976)

Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов; Известия вузов. Физика; № 7
Được phát hành: (1978)

Определение износостойкости твердосплавных инструментальных материалов методом аннигиляции позитронов; Дефектоскопия; № 8
Được phát hành: (1985)

Изучение стадий усталостного нарушения сплавов ВНС-25 методом аннигиляции позитронов; Дефектоскопия; № 9
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1983)

Определение степени накопления усталостных повреждений в сплавах методом аннигиляции позитронов; Дефектоскопия; № 9
Được phát hành: (1987)

Центры захвата позитронов и особенности аннигиляции позитронов в радиационноокрашенных щелочногалоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Bằng: Арефьев В. П.
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 1979)

Исследование электронной структуры стекол методом аннигиляции позитронов; Радиационно-стимулированные явления в кислородосодержащих кристаллах и стеклах
Bằng: Воробьев А. А. Александр Акимович
Được phát hành: (1978)

Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов; Журнал технической физики; Т. 88, вып. 6
Được phát hành: (2018)

Исследование дефектности микроклина методами аннигиляции позитронов, электропроводности и импульсного электромагнитного излучения; Минералогический журнал; Т. 3, № 5
Được phát hành: (1981)

Поляризационный эффект аннигиляции позитронов в ионных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 21, № 8
Được phát hành: (1979)

Методы позитронной диагностики и расшифровки спектров аннигиляции позитронов
Được phát hành: (Ташкент, Фан, 1985)

Изучение зарядового состояния примесных атомов в полупроводниковых материалах методом аннигиляции позитронов; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 8
Được phát hành: (1977)

Определение характеристик аннигиляции позитронов в дислокациях сплава Zr1%Nb; Перспективные материалы конструкционного и функционального назначения
Bằng: Бордулёв Ю. С. Юрий Сергеевич
Được phát hành: (2020)

Изучение тонких пленок GeO методом позитронной аннигиляции; Физика и техника полупроводников; Т. 8, вып. 6
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1974)

Измерения характеристик природного композита древесины методом аннигиляции позитронов на основе имитационной модели годичного кольца; Известия вузов. Физика; Т. 68, № 1
Được phát hành: (2025)

Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 8
Được phát hành: (1983)

Исследование позитронной аннигиляции с применением источника позитронов 64Cu; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Bằng: Чэнь В.
Được phát hành: (2017)

Особенности аннигиляции позитронов в наноразмерных металлических слоях Zr/Nb; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Bằng: Ломыгин А. Д. Антон Дмитриевич
Được phát hành: (2021)

Применение метода аннигиляции позитронов для изучения дефектных ионных монокристаллов; Кристаллография; Т. 19, вып. 3
Bằng: Воробьев А. А. Александр Акимович
Được phát hành: (1974)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
Được phát hành: (1977)

Параметры аннигиляции позитронов в наноразмерных металлических многослойных системах Zr\Nb; Современные проблемы машиностроения
Bằng: Лаптев Р. С. Роман Сергеевич
Được phát hành: (2021)

Изучение и интерпретация экспериментальных спектров аннигиляции позитронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.01
Bằng: Шевелев С. В. Сергей Владимирович
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 1979)

Термализация позитронов в атомных полупроводниках; Известия вузов. Физика; № 7
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1978)

Применение метода аннигиляции позитронов для изучения степени дефектности монокристаллов; Прикладная ядерная спектроскопия
Bằng: Воробьев А. А. Александр Акимович
Được phát hành: (1974)

Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции; Кристаллография; Т. 21, вып. 5
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1976)

Изучение тонких пленок Cuo и Cu2O методом позитронной аннигиляции; Кристаллография; Т. 21, вып. 5
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1976)

Исследование дефектов структуры пиронитрида бора методами аннигиляции позитронов и рентгеноструктурного анализа; Физика твердого тела; Т. 26, № 10
Được phát hành: (1984)

Измерение распределения плотности потока электронов в поперечном сечении пучка методом математической реконструкции; VIII Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
Bằng: Данилова И. Б.
Được phát hành: (2017)

Применение метода аннигиляции позитронов для выявления усталостных нарушений сплошности в конструкционных сплавах; Дефектоскопия; № 4
Được phát hành: (1986)

Физика позитронов в конденсированных средах; Российские научные школы; Т. 3
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (2010)

Центры захвата позитронов в радиационноокрашенных кристаллах KCl; Известия вузов. Физика; № 11
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1978)

Особенности аннигиляции позитронов в наноразмерных металлических слоях Zr/Nb после облучения протонами; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Bằng: Фань Ц.
Được phát hành: (2024)

Аннигиляции позитронов в наноразмерных металлических многослойных покрытиях ZR\NB после облучения протонами; Изотопы: технологии, материалы и применение
Bằng: Ломыгин А. Д. Антон Дмитриевич
Được phát hành: (2021)

Аннигиляция позитронов в ориентированном монокристалле KBr; Физика твердого тела; Т. 13, № 3
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1971)

Спектрально-угловые распределения излучения электронов и позитронов при плоскостном каналировании в полуволновом кристалле Si; ФВЗЧК-2014
Bằng: Богданов О. В. Олег Викторович
Được phát hành: (2014)

Определение параметра углового распределения аннигиляционных фотонов методом динамического преобразования; Теплофизика и гидродинамика технологических процессов
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1989)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1983)

Исследование степени накопления усталостных повреждений в сплавах методом аннигиляции позитронов: отчет о НИР (заключительный); тема: х/д 7-77/83
Được phát hành: (Томск, 1985)

Изучение изменений структуры твердых сплавов при деформации методом аннигиляции позитронов: отчет о НИР (заключительный); тема: х/д 6-45/89
Được phát hành: (Томск, 1990)

Влияние температуры на аннигиляцию позитронов в монокристаллах; Физика твердого тела; Т. 15, № 2
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1973)