Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958- Т. 26, № 6.— 1983.— С. 63-66
المؤلف الرئيسي:	Арефьев К. П. Константин Петрович
مؤلفون آخرون:	Лопатин В. С., Погребняк А. Д.
اللغة:	الروسية
منشور في:	1983
الموضوعات:	труды учёных ТПУ
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=484069

مواد مشابهة

Аннигиляция позитронов в облученных протонами монокристаллах LiH; Физика твердого тела; Т. 23, № 8
منشور في: (1981)

Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах кремния n- и p-типа; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 7
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1982)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6
منشور في: (1979)

Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (Томск, 1974)

Аннигиляция позитронов в ориентированном монокристалле KBr; Физика твердого тела; Т. 13, № 3
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1971)

Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона; Известия вузов. Физика; Т. 33, № 5
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1990)

Аннигиляция позитронов в кристаллах KBr, активированных ионами Li+; Физика твердого тела; Т. 24, № 5
منشور في: (1982)

Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния; Физика и техника полупроводников; Т. 10, вып. 11
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1976)

Аннигиляция позитронов в твердых телах: сборник статей
منشور في: (Москва, Иностранная литература, 1960)

Физика медленных позитронов. Аннигиляция позитронов в веществе. Позитроны в атомных системах. Двухфотонная угловая корреляция
حسب: Арифов У. А. Убай Арифович
منشور في: (Ташкент, Фан, 1971)

Аннигиляция позитронов в монокристаллах кремния и арсенида галлия с обработанной поверхностью; Физика и химия обработки материалов; № 6
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1976)

Аннигиляция позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 21, вып. 4
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (1975)

Центры захвата позитронов в облученных электронами кристаллах KCl; Физика твердого тела; Т. 21, № 1
منشور في: (1979)

Центры захвата позитронов в радиационноокрашенных кристаллах KCl; Известия вузов. Физика; № 11
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1978)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
منشور في: (1977)

Аннигиляция позитронов в насыщенном водородом титане; Физика твердого тела; Т. 45, № 1
منشور في: (2003)

Аннигиляция позитронов в кремнии, облученном электронами; Физика твердого тела; Т. 19, № 8
منشور في: (1977)

Диэлектрические эффекты в облученных протонами кристаллах KBr; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 139
حسب: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
منشور في: (1965)

Центры захвата позитронов в аддитивноокрашенных кристаллах NaBr; Физика твердого тела; Т. 23, № 3
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1981)

Аннигиляция позитронов в монокристалле MgO, легированном Al3+; Физика твердого тела; Т. 18, № 3
حسب: Воробьев А. А. Александр Акимович
منشور في: (1976)

Состояния позитронов в кристаллах KCl до и после радиационного воздействия; Известия вузов. Физика; Т. 31, № 7
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1988)

Наблюдение позитрониеподобных состояний в кристаллах KCl, облученных быстрыми нейтронами; Физика твердого тела; Т. 23, № 7
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1981)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
حسب: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
منشور في: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Влияние щелочноземельных примесей на скорость накопления центров окраски в щелочногалоидных кристаллах, облученных протонами; Журнал прикладной спектроскопии; Т. 5, № 5
حسب: Лисицын В. М. Виктор Михайлович
منشور في: (1966)

Наблюдение позитрониевых состояний в полупроводниках, облученных сильноточными пучками электронов и протонов; Физика твердого тела; Т. 27, № 9
منشور في: (1985)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
حسب: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
منشور في: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Диэлектрические потери в облученных протонами и рентгеновскими лучами кристаллах KBr и KJ; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 140
حسب: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
منشور في: (1965)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
حسب: Пешев В. В.
منشور في: (2004)

Центры захвата позитронов и особенности аннигиляции позитронов в радиационноокрашенных щелочногалоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Арефьев В. П.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1979)

Стабилизация позитронов в дефектных ионных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 4
منشور في: (1979)

Термализация позитронов в атомных полупроводниках; Известия вузов. Физика; № 7
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (1978)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Коэффициент линейного расширения кристаллов в КСl, облученных протонами; Кристаллография; Т. 7, вып. 3
منشور في: (1962)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
حسب: Кабышев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2010)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
حسب: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
منشور في: (2015)

Захват позитронов F-центрами в закаленных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 2
منشور في: (1973)

Динамика объёмного заряда в диэлектриках, облучённых протонами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
حسب: Соловьёв Ю. А.
منشور في: (2002)

Кинетика накопления запасенной энергии в щелочногалоидных кристаллах после облучения протонами; Известия вузов. Физика; № 4
منشور في: (1966)

Физика позитронов в конденсированных средах; Российские научные школы; Т. 3
حسب: Арефьев К. П. Константин Петрович
منشور في: (2010)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)