Основы физики полупроводников: пер. с англ.

Dettagli Bibliografici
Autore principale: Ю П. Питер
Altri autori: Кардона М. Мануэль
Riassunto:Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов. Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач "за руку" приведут студентов к научным результатам.
Lingua:russo
Pubblicazione: Москва, Физматлит, 2002
Soggetti:
Natura: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=48135

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 48135
005 20231031031324.0
010 |a 5922102680 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\50360 
090 |a 48135 
100 |a 20030305d2002 k y0rusy50 ca 
101 1 |a rus  |c eng 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Основы физики полупроводников  |e пер. с англ.  |f П. Ю, М. Кардона 
210 |a Москва  |c Физматлит  |d 2002 
215 |a 560 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 509-541. 
320 |a Предм. указ.: с. 542-560. 
330 |a Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов. Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач "за руку" приведут студентов к научным результатам. 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a электронные зоны 
610 1 |a структура 
610 1 |a электрон-фононное взаимодействие 
610 1 |a атомы 
610 1 |a колебательные состояния 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a электронные свойства 
610 1 |a электрический транспорт 
610 1 |a оптические свойства 
610 1 |a фотоэлектронная спектроскопия 
610 1 |a электроны 
610 1 |a фононы 
610 1 |a квантовый размерный эффект 
610 1 |a сверхрешетки 
675 |a 537.311.322  |v 3 
700 1 |a Ю  |b П.  |g Питер 
701 1 |a Кардона  |b М.  |g Мануэль 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030305  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20201118  |g PSBO 
942 |c BK