Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064 № 3 (4).— 2012.— [С. 125-129]
Autor principal:	Клименов В. А. Василий Александрович
Altres autors:	Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Sumari:	Заглавие с титульного листа Исследовано влияние характеристического рентгеновского излучения на полуизолирующий арсенид галлия, применяемый в качестве подложек при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем с помощью ионной имплантации и эпитаксии. Установлено, что изменение сопротивления при облучении позволяет получать информацию об однородности и термической стабильности пластин полуизолирующего арсенида галлия. Обсуждаются физические процессы, происходящие при облучении полуизолирующего арсенида галлия.
Idioma:	rus
Publicat:	2012
Col·lecció:	Инженерные науки
Matèries:	неразрушающий контроль радиационный контроль арсенид галлия рентгеновское излучение подложки ионная имплантация полупроводники эпитаксия сопротивление стабильность труды учёных ТПУ электронный ресурс
Accés en línia:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/16069
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=480394

Ítems similars

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
per: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicat: (Москва, Энергия, 1974)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicat: (Ташкент, Фан, 1986)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Ардышев М. В.
Publicat: (2002)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
per: Пешев В. В.
Publicat: (2002)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
per: Сытенко Т. Н.
Publicat: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
per: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2000)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicat: (Томск, 2000)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicat: (2014)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
per: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicat: (2018)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
per: Толбанов О. П.
Publicat: (2003)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicat: (2009)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicat: (2011)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
per: Каплан Б. Я.
Publicat: (Москва, [Б. и.], 1969)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Ардышев М. В.
Publicat: (2004)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicat: (Томск, 1999)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Чернявский А. В. Александр Викторович
Publicat: (2011)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, 1999)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicat: (2011)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicat: (Томск, 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
per: Карлова Г. Ф.
Publicat: (2003)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1999)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2014)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Максимова Н. К.
Publicat: (Томск, 1972)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1999)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
per: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publicat: (Томск, 1985)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
per: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1999)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
per: Стебенева В. И.
Publicat: (2018)

Радиационный неразрушающий контроль сварных соединений
per: Адаменко А. А. Александр Адольфович
Publicat: (Киев, Технiка, 1981)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Publicat: (Москва, Радио и связь, 1988)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2002)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2002)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2002)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Publicat: (2013)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Publicat: (1983)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
per: Сараева В. Е.
Publicat: (1989)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Publicat: (Томск, 1989)

Системы радиационного контроля на основе газоразрядных преобразователей рентгеновского излучения в видимое; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Неразрушающий контроль и диагностика
per: Алхимов В. Ю.
Publicat: (2008)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Publicat: (2004)