Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
| Parent link: | Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064 № 3 (4).— 2012.— [С. 125-129] |
|---|---|
| Auteur principal: | |
| Autres auteurs: | |
| Résumé: | Заглавие с титульного листа Исследовано влияние характеристического рентгеновского излучения на полуизолирующий арсенид галлия, применяемый в качестве подложек при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем с помощью ионной имплантации и эпитаксии. Установлено, что изменение сопротивления при облучении позволяет получать информацию об однородности и термической стабильности пластин полуизолирующего арсенида галлия. Обсуждаются физические процессы, происходящие при облучении полуизолирующего арсенида галлия. |
| Publié: |
2012
|
| Collection: | Инженерные науки |
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/16069 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=480394 |
| Description matérielle: | 1 файл (162 Кб) |
|---|---|
| Résumé: | Заглавие с титульного листа Исследовано влияние характеристического рентгеновского излучения на полуизолирующий арсенид галлия, применяемый в качестве подложек при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем с помощью ионной имплантации и эпитаксии. Установлено, что изменение сопротивления при облучении позволяет получать информацию об однородности и термической стабильности пластин полуизолирующего арсенида галлия. Обсуждаются физические процессы, происходящие при облучении полуизолирующего арсенида галлия. |