Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов; Вестник науки Сибири; № 1 (2)

Dades bibliogràfiques
Parent link:Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064
№ 1 (2).— 2012.— [С. 115-119]
Altres autors: Афанасьев М. С. Михаил Сергеевич, Лучников П. А. Петр Александрович, Митягин А. Ю. Александр Юрьевич, Чучева Г. В. Галина Викторовна
Sumari:Заглавие с титульного листа
Исследованы возможности формирования гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов. Определены оптимальные технологические условия формирования структур. Проведен анализ кристаллической структуры и фазового состава алмазоподобных и сегнетоэлектрических пленок. Показано, что формирование двухслойной гетероструктуры с алмазоподобным слоем при температуре подложки выше 700 С перовскитный слой не обладает сегнетоэлектрическими свойствами.
Idioma:rus
Publicat: 2012
Col·lecció:Инженерные науки
Matèries:
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478734

Ítems similars