Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов; Вестник науки Сибири; № 1 (2)

Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов; Вестник науки Сибири; № 1 (2)

Detaylı Bibliyografya
Parent link:	Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064 № 1 (2).— 2012.— [С. 115-119]
Diğer Yazarlar:	Афанасьев М. С. Михаил Сергеевич, Лучников П. А. Петр Александрович, Митягин А. Ю. Александр Юрьевич, Чучева Г. В. Галина Викторовна
Özet:	Заглавие с титульного листа Исследованы возможности формирования гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов. Определены оптимальные технологические условия формирования структур. Проведен анализ кристаллической структуры и фазового состава алмазоподобных и сегнетоэлектрических пленок. Показано, что формирование двухслойной гетероструктуры с алмазоподобным слоем при температуре подложки выше 700 С перовскитный слой не обладает сегнетоэлектрическими свойствами.
Dil:	Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi:	2012
Seri Bilgileri:	Инженерные науки
Konular:	физика гетероструктуры формирование технологические возможности алмазоподобные материалы сегнетоэлектрические материалы сегнетоэлектрические пленки алмазоподобные пленки ВЧ-распыление высокочастотное распыление электронный ресурс
Online Erişim:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939
Materyal Türü:	Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478734

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939