Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов
| Parent link: | Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064 № 1 (2).— 2012.— [С. 115-119] |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | , , , |
| الملخص: | Заглавие с титульного листа Исследованы возможности формирования гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов. Определены оптимальные технологические условия формирования структур. Проведен анализ кристаллической структуры и фазового состава алмазоподобных и сегнетоэлектрических пленок. Показано, что формирование двухслойной гетероструктуры с алмазоподобным слоем при температуре подложки выше 700 С перовскитный слой не обладает сегнетоэлектрическими свойствами. |
| اللغة: | الروسية |
| منشور في: |
2012
|
| سلاسل: | Инженерные науки |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939 |
| التنسيق: | الكتروني فصل الكتاب |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478734 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 478734 | ||
| 005 | 20231101093201.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\prd\145576 | ||
| 035 | |a RU\TPU\prd\145574 | ||
| 090 | |a 478734 | ||
| 100 | |a 20120702d2012 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов |f М. С. Афанасьев [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (734 Кб) | ||
| 225 | 1 | |a Инженерные науки | |
| 230 | |a Электронные текстовые данные (1 файл : 734 Кб) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 119 (5 назв.)] | ||
| 330 | |a Исследованы возможности формирования гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов. Определены оптимальные технологические условия формирования структур. Проведен анализ кристаллической структуры и фазового состава алмазоподобных и сегнетоэлектрических пленок. Показано, что формирование двухслойной гетероструктуры с алмазоподобным слоем при температуре подложки выше 700 С перовскитный слой не обладает сегнетоэлектрическими свойствами. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\143680 |x 2226-0064 |t Вестник науки Сибири |o электронный научный журнал |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2011- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\145194 |t № 1 (2) |v [С. 115-119] |d 2012 | |
| 610 | 1 | |a физика | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a формирование | |
| 610 | 1 | |a технологические возможности | |
| 610 | 1 | |a алмазоподобные материалы | |
| 610 | 1 | |a сегнетоэлектрические материалы | |
| 610 | 1 | |a сегнетоэлектрические пленки | |
| 610 | 1 | |a алмазоподобные пленки | |
| 610 | 1 | |a ВЧ-распыление | |
| 610 | 1 | |a высокочастотное распыление | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 675 | |a 537.226 |v 3 | ||
| 701 | 1 | |a Афанасьев |b М. С. |g Михаил Сергеевич | |
| 701 | 1 | |a Лучников |b П. А. |g Петр Александрович | |
| 701 | 1 | |a Митягин |b А. Ю. |g Александр Юрьевич | |
| 701 | 1 | |a Чучева |b Г. В. |g Галина Викторовна | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090623 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20180115 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939 | |
| 942 | |c BK | ||