Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов
| Parent link: | Вестник науки Сибири: электронный научный журнал/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2011-.— 2226-0064 № 1 (2).— 2012.— [С. 115-119] |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Summary: | Заглавие с титульного листа Исследованы возможности формирования гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов. Определены оптимальные технологические условия формирования структур. Проведен анализ кристаллической структуры и фазового состава алмазоподобных и сегнетоэлектрических пленок. Показано, что формирование двухслойной гетероструктуры с алмазоподобным слоем при температуре подложки выше 700 С перовскитный слой не обладает сегнетоэлектрическими свойствами. |
| Published: |
2012
|
| Series: | Инженерные науки |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=478734 |
| Physical Description: | 1 файл (734 Кб) |
|---|---|
| Summary: | Заглавие с титульного листа Исследованы возможности формирования гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов. Определены оптимальные технологические условия формирования структур. Проведен анализ кристаллической структуры и фазового состава алмазоподобных и сегнетоэлектрических пленок. Показано, что формирование двухслойной гетероструктуры с алмазоподобным слоем при температуре подложки выше 700 С перовскитный слой не обладает сегнетоэлектрическими свойствами. |