|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
477813 |
| 005 |
20231101093010.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\144607
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\114795
|
| 090 |
|
|
|a 477813
|
| 100 |
|
|
|a 20120622a1993 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние внедренного объемного заряда на развитие разрядных структур в диэлектриках
|f В. Р. Кухта, В. В. Лопатин, М. Д. Носков
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 44 (4 назв.)
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\486
|t Письма в Журнал технической физики
|d 1975-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\102220
|t Т. 19, вып. 23
|v С. 39-44
|d 1993
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 700 |
|
1 |
|a Кухта
|b В. Р.
|
| 701 |
|
1 |
|a Лопатин
|b В. В.
|c электрофизик
|c доктор физико-математических наук, профессор Томского политехнического университета, заместитель директора по научной работе ИФВТ ТПУ
|f 1947-
|g Владимир Васильевич
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\20662
|
| 701 |
|
1 |
|a Носков
|b М. Д.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20110628
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121101
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
