Механизм проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07.

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Бутков В. В. Владимир Владимирович
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: Томский политехнический институт
Άλλοι συγγραφείς: Вайсбурд Д. И. (научный руководитель), Москалев В. А.
Γλώσσα:Ρωσικά
Έκδοση: Томск, 1987
Θέματα:
Μορφή: Βιβλίο
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=46610

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 46610
005 20231101211029.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\48656 
090 |a 46610 
100 |a 20030123d1987 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a m 001zy 
200 1 |a Механизм проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов  |e диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e Спец. 01.04.07.  |f В. В. Бутков  |g Томский политехнический институт; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, В. А. Москалев 
210 |a Томск  |d 1987 
215 |a 133 л.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 119-130 (101 назв.). 
606 1 |a Кристаллы ионные  |x Действие ионизирующих излучений  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\53466  |9 71700 
610 1 |a физика 
610 1 |a твердое тело 
610 1 |a проводимость 
610 1 |a ионные кристаллы 
610 1 |a импульсное облучение 
610 1 |a пучки 
610 1 |a электроны 
610 1 |a модель 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a эксперименты 
610 1 |a диссертации 
675 |a 548.312(04)  |v 3 
686 |a 01.04.07.  |2 oksvnk 
700 1 |a Бутков  |b В. В.  |g Владимир Владимирович 
702 1 |a Вайсбурд  |b Д. И.  |4 727 
702 1 |a Москалев  |b В. А.  |4 727 
712 0 2 |a Томский политехнический институт  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030123  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20200818  |g RCR 
942 |c BK