Распределение локализованных в запрещенной зоне состояний и модель электронных переходов в облученных ионами диэлектриках; Поверхность. Физика, химия, механика; № 12

Documenti analoghi

• Распределение локализованных в запрещенной зоне состояний и модель электронных переходов в облученных ионами диэлектриках; Тезисы докладов XXV Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 29-31 мая 1995 г.
  di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
  Pubblicazione: (1995)
• Локализованные состояния дефектов в облученных ионами диэлектриках; Физика твердого тела; Т. 37, № 7
  di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
  Pubblicazione: (1995)
• Радиационные дефекты и их комплексы в облученных ионами термостойких диэлектриках; Известия вузов. Физика; Т. 43, № 3
  di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
  Pubblicazione: (2000)
• Локализованные состояния дефектов и свойства облученных ионами диэлектриков; Радиационная физика твердого тела
  di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
  Pubblicazione: (1995)
• Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках: учебное пособие
  di: Сыноров В. Ф. Владимир Федорович
  Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)