ИК-лазерное индуцированное изменение Eg в твёрдых растворах p-Cd1-xZnxTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
| Parent link: | Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011 |
|---|---|
| Інші автори: | Пляцко С. В., Петренко Т. Л., Рашковецкий Л. В., Кадышев С. К. |
| Резюме: | Заглавие с экрана |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K03/333.pdf |
| Формат: | Електронний ресурс Частина з книги |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=459541 |
Схожі ресурси
Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубліковано: (2011)
Опубліковано: (2011)
Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Мир, 1968)
Опубліковано: (Москва, Мир, 1968)
Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
за авторством: Войцеховский А. В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Войцеховский А. В.
Опубліковано: (2000)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005)
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005)
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005)
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005)
Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2008)
за авторством: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2008)
Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2008)
за авторством: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2008)
Кооперативные и неравновесные процессы в системе экситонов большой плотности: сборник статей
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Анализ некоторых многокомпонентных систем потенциометрическим титрованием с применением ЭВМ: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
за авторством: Шумар С. В. Светлана Викторовна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 1995)
за авторством: Шумар С. В. Светлана Викторовна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 1995)
Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2008)
за авторством: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2008)
Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубліковано: (2011)
Опубліковано: (2011)
Фотолюминесценция и фотокаталитическая активность вольфрамата цинка; Современные проблемы физики конденсированного состояния, нанотехнологий и наноматериалов (Сарсембиновские чтения)
Опубліковано: (2016)
Опубліковано: (2016)
Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения; Современные техника и технологии; Т. 2
за авторством: Лысык В. В.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Лысык В. В.
Опубліковано: (2011)
Оптические свойства селенида цинка, полученных методом изовалентного замещения; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 7
Опубліковано: (2003)
Опубліковано: (2003)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
Исследование центров окраски и люминисценции в сульфиде цинка при импульсном электронном возбуждении высокой интенсивности: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
за авторством: Малышев А.А.
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 1980)
за авторством: Малышев А.А.
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 1980)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Александров И. А. Иван Анатольевич
Опубліковано: (Новосибирск, 2015)
за авторством: Александров И. А. Иван Анатольевич
Опубліковано: (Новосибирск, 2015)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
за авторством: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2007)
Дизиметрия реакторного излучения с помощью плавленного кварца; Атомная энергия; Т. 100, вып. 3
за авторством: Муссаева М. А.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Муссаева М. А.
Опубліковано: (2006)
Вып. 18; Физическая электроника
Опубліковано: (1979)
Опубліковано: (1979)
Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
Спектроскопия молекулярных экситонов
за авторством: Броуде В. Л. Владимир Львович
Опубліковано: (Москва, Энергоиздат, 1981)
за авторством: Броуде В. Л. Владимир Львович
Опубліковано: (Москва, Энергоиздат, 1981)
Квантовая электроника. Труды Республиканского семинара по квантовой электронике; Вып. 2
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1967)
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1967)
Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах. Явления локализации и поляризации
за авторством: Силиньш Э. А. Эдгар Александрович
Опубліковано: (Рига, Зинатне, 1988)
за авторством: Силиньш Э. А. Эдгар Александрович
Опубліковано: (Рига, Зинатне, 1988)
Импульсная фотолюминесценция γ-окрашенных кристаллов CsI(TI); Перспективы развития фундаментальных наук
за авторством: Мелешко А. А. Анна Алексеевна
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мелешко А. А. Анна Алексеевна
Опубліковано: (2008)
Полупроводниковые материалы и приборы
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Сильные экситонные фотопереходы
за авторством: Мясников Э. Н. Эдуард Николаевич
Опубліковано: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1981)
за авторством: Мясников Э. Н. Эдуард Николаевич
Опубліковано: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1981)
Synthesis and Optical Properties of CdSe and CdSe/ZnS Core/Shell Quantum Dots; Advanced Materials Research; Vol. 1085 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2014)
Опубліковано: (2015)
Опубліковано: (2015)
Лазерное разделение изотопов: сборник статей
Опубліковано: (Москва, Наука, 1979)
Опубліковано: (Москва, Наука, 1979)
Blue shift in absorption edge of polycrystalline zinc oxide modified by nanoparticles before and after irradiation exposure; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 418
Опубліковано: (2018)
Опубліковано: (2018)
Экситонные процессы в слоистых кристаллах
за авторством: Бродин М. С.
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1986)
за авторством: Бродин М. С.
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1986)
Оптические поглощательные переходы автолокализованных экситонов; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
за авторством: Лисицина Л. А.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Лисицина Л. А.
Опубліковано: (2002)
Электронные процессы в органических кристаллах: пер. с англ.; в 2 т.; Т. 1
за авторством: Поуп М. Мартин
Опубліковано: (Москва, Мир, 1985)
за авторством: Поуп М. Мартин
Опубліковано: (Москва, Мир, 1985)
Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах
за авторством: Агранович В. М. Владимир Моисеевич
Опубліковано: (Москва, Наука, 1978)
за авторством: Агранович В. М. Владимир Моисеевич
Опубліковано: (Москва, Наука, 1978)
Экситонная и доменная люминесценция полупроводников: [сборник научных трудов]
Опубліковано: (Москва, Наука, 1977)
Опубліковано: (Москва, Наука, 1977)
Гидротермальный синтез и выращивание монокристаллов: сборник статей
Опубліковано: (Москва, Наука, 1982)
Опубліковано: (Москва, Наука, 1982)
Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Полупроводниковые материалы IX
Опубліковано: (Таллин, Изд-во ТПИ, 1988)
Опубліковано: (Таллин, Изд-во ТПИ, 1988)
Сорбционная очистка водных сред, содержащих ионы Cd2+ И Pb2+; Инновационные технологии в машиностроении
за авторством: Максимов П. Н. Прокопий Николаевич
Опубліковано: (2024)
за авторством: Максимов П. Н. Прокопий Николаевич
Опубліковано: (2024)
Схожі ресурси
-
Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубліковано: (2011) -
Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Мир, 1968) -
Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
за авторством: Войцеховский А. В.
Опубліковано: (2000) -
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005) -
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2005)