Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Библиографические подробности
Источник:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Другие авторы:	Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ложников С. Н., Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Примечания:	Заглавие с экрана
Язык:	русский
Опубликовано:	2011
Предметы:	арсенид галлия фотопроводимость халькогенидная пассивация отжиг вакуумный отжиг фоточувствительность электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online-ссылка:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/56.pdf
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458349

Схожие документы

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Опубликовано: (2013)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
Опубликовано: (2014)

Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 6
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Опубликовано: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2014)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
по: Ардышев М. В.
Опубликовано: (2004)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Опубликовано: (2014)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубликовано: (Томск, 1999)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Опубликовано: (2011)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1999)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
по: Чернявский А. В. Александр Викторович
Опубликовано: (2011)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
по: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Опубликовано: (2012)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Опубликовано: (2009)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
по: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубликовано: (2005)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
по: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Опубликовано: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Опубликовано: (2009)

Автоматизация процесса вакуумного отжига титановых конструкций; Промышленные АСУ и контроллеры; № 2
по: Соколов Ю. А.
Опубликовано: (2003)

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Цымбалов А. В. Александр Вячеславович
Опубликовано: (Томск, 2025)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Спирина А. А. Анна Александровна
Опубликовано: (Новосибирск, 2023)

Blister formation in ZrN/SiN multilayers after He irradiation; Surface and Coatings Technology; Vol. 334
Опубликовано: (2018)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
по: Ардышев М. В.
Опубликовано: (2002)

Влияние высокотемпературного отжига и обработка в кислородной плазме на свойства тонких пленок оксида галлия; Электронные приборы, системы и технологии
по: Вишникина В. В.
Опубликовано: (2012)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
по: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Опубликовано: (2018)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
по: Толбанов О. П.
Опубликовано: (2003)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
по: Пешев В. В.
Опубликовано: (2002)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
по: Сытенко Т. Н.
Опубликовано: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Опубликовано: (Ташкент, Фан, 1986)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
по: Каплан Б. Я.
Опубликовано: (Москва, [Б. и.], 1969)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
по: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2002)

High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-3
по: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Опубликовано: (2012)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
по: Карлова Г. Ф.
Опубликовано: (2003)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
по: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Опубликовано: (Москва, Энергия, 1974)

Effect of nonequilibrium hydrogen release in the ultrafine-grained Zr-1Nb alloy under the electron beam exposure; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Опубликовано: (2016)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
по: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2000)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Опубликовано: (Томск, 2000)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Стебенева В. И.
Опубликовано: (2018)

Т. 1; Физика твердого тела
Опубликовано: (1959)