Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Outros autores:	Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ложников С. Н., Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Summary:	Заглавие с экрана
Idioma:	ruso
Publicado:	2011
Subjects:	арсенид галлия фотопроводимость халькогенидная пассивация отжиг вакуумный отжиг фоточувствительность электронный ресурс труды учёных ТПУ
Acceso en liña:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/56.pdf
Formato:	MixedMaterials Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458349

Internet