Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

অনুরূপ উপাদানগুলি

• Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  অনুযায়ী: Ардышев М. В.
  প্রকাশিত: (2002)
• Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  অনুযায়ী: Ардышев М. В.
  প্রকাশিত: (2004)
• Структурные изменения в плёнках субфталоцианина SubPcBCl при температурном отжиге; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  প্রকাশিত: (2011)
• Импульсный синтез соединений для кремниевой оптоэлектроники; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  অনুযায়ী: Баязитов Р. М.
  প্রকাশিত: (2011)
• Особенности импульсного отжига слоёв кремния, имплантированных ионами германия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  প্রকাশিত: (2011)