Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Main Author:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Other Authors:	Рубанов П. В. Павел Владимирович, Скакова И. М.
Summary:	Заглавие с экрана
Language:	Russian
Published:	2011
Subjects:	светодиоды структура гетероструктура гамма-кванты облучение радиационная стойкость квантовые ямы электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online Access:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/34.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458237

Similar Items

Деградация светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs при облучении электронами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Published: (2013)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Published: (2013)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Исследование стойкости датчиков магнитной индукции при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
by: Грушко Н. С.
Published: (2004)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Published: (2017)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Published: (2015)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Published: (2022)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)

Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктур ALGAAS подвергнутых воздействию эксплуатационных факторов; Интеграция науки, образования и производства – основа реализации Плана нации (Сагиновские чтения №12); Ч. 1
by: Даширабданова А. С. Арюна Саяновна
Published: (2020)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2014)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Published: (Томск, 2012)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2016)