Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Main Author:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Other Authors:	Рубанов П. В. Павел Владимирович, Скакова И. М.
Summary:	Заглавие с экрана
Published:	2011
Subjects:	светодиоды структура гетероструктура гамма-кванты облучение радиационная стойкость квантовые ямы электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online Access:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/34.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458237

Similar Items

Деградация светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs при облучении электронами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Published: (2013)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Published: (2013)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2016)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктуры ALGAAS, подвергнутых воздействию быстрых нейтронов
by: Терниевская А. В. Анастасия Витальевна
Published: (2020)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2011)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Published: (Томск, 2012)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Published: (Томск, 2012)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Published: (Томск, 2012)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктур ALGAAS подвергнутых воздействию эксплуатационных факторов
by: Даширабданова А. С. Арюна Саяновна
Published: (2020)

Исследование стойкости датчиков магнитной индукции при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
by: Грушко Н. С.
Published: (2004)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2013)