Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами

Бібліографічні деталі
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Автор:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Інші автори:	Рубанов П. В. Павел Владимирович, Скакова И. М.
Резюме:	Заглавие с экрана
Опубліковано:	2011
Предмети:	светодиоды структура гетероструктура гамма-кванты облучение радиационная стойкость квантовые ямы электронный ресурс труды учёных ТПУ
Онлайн доступ:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/34.pdf
Формат:	Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458237

Опис
Фізичний опис:	1 файл (211 Кб)
Резюме:	Заглавие с экрана

Схожі ресурси