Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Other Authors:	Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Новицкий С. В., Шеремет В. Н.
Summary:	Заглавие с экрана
Language:	Russian
Published:	2011
Subjects:	омические контакты диффузионные барьеры фосфит индия арсенид галия нитрид галия микроволновая обработка термическая обработка электронный ресурс
Online Access:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/14.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458197

Similar Items

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Published: (2004)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
by: Кудряшов В. Е.
Published: (2003)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
by: Ли Цзень Фень
Published: (Томск, [Б. и.], 2006)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
by: Ли Цзень Фень
Published: (Томск, [Б. и.], 2006)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Ли Цзень Фень
Published: (Томск, [Б. и.], 2006)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Монокристаллы полупроводниковых соединений III-V: современное производство и перспективы его развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
by: Марков А. В.
Published: (2003)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига; Вестник науки Сибири; № 1 (2)
Published: (2012)

Великий просветитель Зия Камали (Эпоха. Личность. Воспоминания)
by: Кудашева С. С.
Published: (Уфа, ВЭГУ, 2015)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Published: (2022)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Published: (2013)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)

Получение ароматических углеводородов из низших алканов на цеолитных катализаторах, модифицированных оксидом галия; Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций
by: Джалилова С. Н. София Насибуллаевна
Published: (2018)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Published: (2017)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Published: (2017)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Published: (2019)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Published: (2015)