Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:	Известия вузов. Физика.— , 1958- Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Beste egile batzuk:	Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Новицкий С. В., Шеремет В. Н.
Gaia:	Заглавие с экрана
Hizkuntza:	errusiera
Argitaratua:	2011
Gaiak:	омические контакты диффузионные барьеры фосфит индия арсенид галия нитрид галия микроволновая обработка термическая обработка электронный ресурс
Sarrera elektronikoa:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/14.pdf
Formatua:	Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458197

Internet