Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Известия вузов. Физика.— , 1958-
Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2011
Diğer Yazarlar: Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Новицкий С. В., Шеремет В. Н.
Özet:Заглавие с экрана
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: 2011
Konular:
омические контакты
диффузионные барьеры
фосфит индия
арсенид галия
нитрид галия
микроволновая обработка
термическая обработка
электронный ресурс
Online Erişim:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K02/14.pdf
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=458197
Diğer Bilgiler
Fiziksel Özellikler:1 файл (340 Кб)
Özet:Заглавие с экрана

Benzer Materyaller