Радиационно-стимулированные процессы в спекаемых ферритах, инициируемые мощным пучком ускоренных электронов; Известия вузов. Физика; Т. 43, № 7

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Известия вузов. Физика.— , 1958-
Т. 43, № 7.— 2000.— С. 92-96
Yazar: Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Diğer Yazarlar: Притулов А. М. Александр Михайлович, Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич
Özet:Спекание порошка Li-Ti-Zn-Mn-феррошпинели проводили в термических (электропечь сопротивления) или в радиационно-термических (облучение мощным пучком электронов, E=2 МэВ) условиях. Рентгеновскими методами показано, что после радиационно-термич. спекания концентрация источников микродеформаций существенно снижается, что интерпретируется как следствие фазовой гомогенизации ферритов
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: 2000
Konular:
Materyal Türü: Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=450447

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 450447
005 20240215103055.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\112607 
035 |a RU\TPU\prd\77964 
090 |a 450447 
100 |a 20110610a2000 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Радиационно-стимулированные процессы в спекаемых ферритах, инициируемые мощным пучком ускоренных электронов  |f А. П. Суржиков, А. М. Притулов, С. А. Гынгазов 
320 |a Библиогр.: 3 назв. 
330 |a Спекание порошка Li-Ti-Zn-Mn-феррошпинели проводили в термических (электропечь сопротивления) или в радиационно-термических (облучение мощным пучком электронов, E=2 МэВ) условиях. Рентгеновскими методами показано, что после радиационно-термич. спекания концентрация источников микродеформаций существенно снижается, что интерпретируется как следствие фазовой гомогенизации ферритов 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |t Известия вузов. Физика  |d 1958- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\77202  |t Т. 43, № 7  |v С. 92-96  |d 2000 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Суржиков  |b А. П.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1951-  |g Анатолий Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010  |9 9307 
701 1 |a Притулов  |b А. М.  |c российский учёный в области электроники, диэлектриков и полупроводников  |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета  |g Александр Михайлович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28169 
701 1 |a Гынгазов  |b С. А.  |c специалист в области электроники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1958-  |g Сергей Анатольевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531  |9 12225 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20091013 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160220  |g RCR 
942 |c BK