Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 5

Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 5

Бібліографічні деталі
Parent link:	Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968-.— 0015-3222 Т. 39, вып. 5.— 2005.— С. 513-520
Інші автори:	Морозова Н. К., Каретников И. А., Голуб К. В., Данилевич Н. Д., Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Олешко В. И. Владимир Иванович
Резюме:	Приведены экспериментальные данные, свидетельствующие о значительном уменьшении ширины запрещенной зоны твердых растворов Zn-O-S в соответствии с теорией непересекающихся зон. Эффект характерен в основном для ZnS с избытком Zn. Концентрация растворенного кислорода [O[S]] приводится по данным прецизионного рентгеноструктурного и химического фазового анализов. Уменьшение ширины запрещенной зоны, определенное по спектрам катодолюминесценции, составляет для сфалерита ZnS (s) 75 мэВ, а для вюртита ZnS(w) 90 мэВ на 1 мол. % ZnO и практически линейно зависит от концентрации кислорода. Увеличение [O[S]], кроме усиления и смещения полосы свободных экситов (FE), способствует образованию в ZnS кислородных SA-комплексов, ответственных за свечение в видимой области спектра и полосу связанных на них экситонов I[1]. Энергия связи равна _;61 и _;104 мэВ соответственно для ZnS (s) и ZnS (w). Полоса I[1] смещается с [O[S]] аналогично полосе FE. Полученные зависимости определяют положение полосы FE в бескислородном ZnS и позволяют по величине ее смещения судить о концентрации растворенного кислорода в соединении
Мова:	Російська
Опубліковано:	2005
Предмети:	труды учёных ТПУ
Формат:	Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=448882

Схожі ресурси

Влияние освещения на электролюминесценцию монокристаллов ZnS; Известия вузов. Физика; № 5
за авторством: Чернявский Б. Г.
Опубліковано: (1967)

The effect of oxygen on the ZnS electronic energy-band structure; Semiconductors; Vol. 39, № 5
Опубліковано: (2005)

Полупроводники системы ZnS-In2S3
за авторством: Доника Ф. Г. Федор Гаврилович
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1980)

Об особенностях спектров радикало-рекомбинационной люминесценции ZnO и ZnS; Известия вузов. Физика; № 6
за авторством: Стыров В. В. Владислав Владимирович
Опубліковано: (1967)

Влияние электрического поля на радикалорекомбинационную люминесценцию фосфора ZnS, CdS-Cu: [оттиск статьи]
за авторством: Горбань А. Н.
Опубліковано: (Москва, Изд-во Академии наук СССР, 1962)

Изменение электропроводимости монокристаллов ZnS под действием возбуждающего переменного напряжения; Известия вузов. Физика; № 5
за авторством: Джузеев У. Д.
Опубліковано: (1967)

Влияние легирования сурьмой на электронную структуру [SnO2]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Опубліковано: (2004)

Резонансы в отражении релятивистских электронов от атомных плоскостей кристаллов и их влияние на зонную структуру каналированых электронов; ФВЗЧК-2014
за авторством: Коротченко К. Б. Константин Борисович
Опубліковано: (2014)

Об оптической вспышке ZnS-Cu-фосфоров; Исследования по люминесценции
за авторством: Ребане К.-С. К.
Опубліковано: (1958)

Оптические свойства ZnS и ZnS:Ag и их изменение при облучении электронами; Физика и химия обработки материалов; № 5
за авторством: Михайлов М. М. Михаил Михайлович
Опубліковано: (1999)

Synthesis of multilevel ZnS/ZnO nanjstructures by electrospark erosion; Chalcogenide Letters; Vol. 12, № 12
за авторством: An V. V. Vladimir Vilorievich
Опубліковано: (2015)

Квантовый выход радикало-рекомбинационной люминесценции фосфоров на основе ZnS и ZnO; Известия вузов. Физика; № 11
за авторством: Стыров В. В. Владислав Владимирович
Опубліковано: (1967)

Влияние гранулометрического состава на оптические свойства порошков на основе ZnS; Известия вузов. Физика; Т. 42, № 7
за авторством: Михайлов М. М. Михаил Михайлович
Опубліковано: (1999)

Optical properties of ZnS powders and luminophores irradiated by electrons; Korus`98. Abstracts
за авторством: Mikhailov M. M.
Опубліковано: (1998)

Optical properties of ZnS and ZnS:Ag and their variation during irradiation with electrons; Physics and Chemistry of Materials Treatment; Vol. 33, iss..5
за авторством: Mikhailov M. M.
Опубліковано: (1999)

Изменение фотопроводимости электролюминесцирующих монокристаллов ZnS при возбуждении переменным полем; Известия вузов. Физика; № 11
за авторством: Джузеев У. Д.
Опубліковано: (1967)

Диэлектрические потери ZnS-Cu и ZnS-Cu, Fe фосфоров; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 91 : Труды совещания по твердым диэлектрикам, Томск, сент. 1955 г.
за авторством: Вергунас Ф. И.
Опубліковано: (1956)

Электролюминесценция микрокристаллов ZnS-Cu, Pb; Оптика и спектроскопия; Т. 13, вып. 4
за авторством: Работкин В. Л.
Опубліковано: (1962)

Т. 39, вып. 5; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Влияние электрического поля на радикалорекомбинационную люминесценцию фосфора ZnS, CdS-Cu; Оптика и спектроскопия; Т. 12, вып. 1
за авторством: Горбань А. Н.
Опубліковано: (1962)

Влияние инфракрасного излучения на электролюминесценцию ZnS-Cu, Al, возбужденную импульсным напряжением инфранизкой частоты. II; Исследования по люминесценции
за авторством: Ребане К.-С. К.
Опубліковано: (1963)

Исследование зависимости люминесцентных характеристик ZnS-фосфоров от интенсивности возбуждающего света; Исследования по люминесценции
за авторством: Ребане К. С. К.
Опубліковано: (1958)

Исследование морфологии и фазового состава частиц гетероструктур ZnO/ZnS, полученных методом электроискрового диспергирования; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
за авторством: Ажгихин М. И.
Опубліковано: (2014)

Электронно-микроскопические и рентгенодифракционные исследования наноструктур на основе ZnS в пористых матрицах оксида алюминия Статья
за авторством: Хохряков С.В.
Опубліковано: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2011)

Термическая стабильность вакансий серы в прессованных образцах ZnS; Физические процессы в соединениях типа АПВУ I
за авторством: Отс А. Э.
Опубліковано: (1972)

Т. 39, вып. 8; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 7; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 9; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 10; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 1; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 2; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 3; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 12; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 11; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 4; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Т. 39, вып. 6; Физика и техника полупроводников
Опубліковано: (2005)

Введение в электронную эмиссию учебное пособие
за авторством: Мануилов В. Н.
Опубліковано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2017)

Введение в растровую электронную микроскопию
за авторством: Сапарин Г. В. Геннадий Васильевич
Опубліковано: (Москва, Изд-во Московского ун-та, 1988)

Влияние спиновых и зарядовых флуктуаций на электронную структуру ферромагнитных соединений на основе редкоземельных металлов (на примере EuO); Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
за авторством: Волков А. Г.
Опубліковано: (2004)

Диффузия электронов и дырок в ZnS-фосфорах и приповерхностные потери энергии; Физические процессы в ионных кристаллах
за авторством: Савихин Ф. А.
Опубліковано: (1972)