Аморфизация кристаллов Si ионами He+; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
| Источник: | Письма в Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН.— , 1975-.— 0320-0116 Т. 28, вып. 14.— 2002.— с. 83-87 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Язык: | русский |
| Опубликовано: |
2002
|
| Предметы: | |
| Формат: | Статья |
| Запись в KOHA: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=440997 |