Аморфизация кристаллов Si ионами He+

Bibliographic Details
Parent link:	Письма в Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН.— , 1975-.— 0320-0116 Т. 28, вып. 14.— 2002.— с. 83-87
Main Author:	Реутов В. Ф.
Other Authors:	Сохацкий А. С.
Language:	Russian
Published:	2002
Subjects:	аморфизация кристаллов кристаллы ионы кремний ионное облучение бора ионы
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=440997

MARC


LEADER	00000naa2a2200000 4500
001	440997
005	20231101081339.0
035			\|a (RuTPU)RU\TPU\prd\102484
035			\|a RU\TPU\prd\8205
090			\|a 440997
100			\|a 20110314a2002 k y0rusy50 ca
101	0		\|a rus
102			\|a RU
200	1		\|a Аморфизация кристаллов Si ионами He+ \|f В. Ф. Реутов, А. С. Сохацкий
320			\|a Библиогр.: 7 назв.
461		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\486 \|x 0320-0116 \|t Письма в Журнал технической физики \|f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН \|d 1975-
463		1	\|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\102469 \|t Т. 28, вып. 14 \|v с. 83-87 \|d 2002
610	1		\|a аморфизация кристаллов
610	1		\|a кристаллы
610	1		\|a ионы
610	1		\|a кремний
610	1		\|a ионное облучение
610	1		\|a бора ионы
700		1	\|a Реутов \|b В. Ф.
701		1	\|a Сохацкий \|b А. С.
801		1	\|a RU \|b 63413507 \|c 20021111 \|g PSBO
801		2	\|a RU \|b 63413507 \|c 20110314 \|g RCR
942			\|c BK