Влияние термоэлектронной эмиссии на поглощение ультракоротких лазерных импульсов в полупроводниках; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1

Bibliographic Details
Parent link:Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1931-.— 0044-4642
Т. 72, вып. 1.— 2002.— с. 72-75
Other Authors: Лобзенко П. В., Евтушенко Н. А., Новиков В. А., Иришин Р. Г.
Language:Russian
Published: 2002
Series:Оптика, квантовая электроника
Subjects:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=438632

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 438632
005 20231101080839.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\99898 
035 |a RU\TPU\prd\3044 
090 |a 438632 
100 |a 20110216a2002 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Влияние термоэлектронной эмиссии на поглощение ультракоротких лазерных импульсов в полупроводниках  |f П. В. Лобзенко, Н. А. Евтушенко, В. А. Новиков, Р. Г. Иришин 
225 1 |a Оптика, квантовая электроника 
320 |a Библиогр.: 9 назв. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\452  |x 0044-4642  |t Журнал технической физики  |f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)  |d 1931- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\99887  |t Т. 72, вып. 1  |v с. 72-75  |d 2002 
610 1 |a термоэлектронная эмиссия 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a импульсы 
610 1 |a поглощение 
610 1 |a ультракороткие лазерные импульсы 
610 1 |a температура 
701 1 |a Лобзенко  |b П. В. 
701 1 |a Евтушенко  |b Н. А. 
701 1 |a Новиков  |b В. А. 
701 1 |a Иришин  |b Р. Г. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20020415  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20110216  |g PSBO 
942 |c BK