Пропуск в контексте
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Расширенный поиск
  • Диффузия в полупроводниках...
  • Цитировать
  • Отправить по sms
  • Отправить на Email
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Постоянная ссылка
Диффузия в полупроводниках

Диффузия в полупроводниках

Библиографические подробности
Главный автор: Болтакс Б. И. Борис Иосифович
Язык:русский
Опубликовано: Москва, Физматгиз, 1961
Серии:Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Предметы:
физика
полупроводники
диффузия
дефекты
твердые тела
теория
математические основы
исследование
германий
кремний
окислы
полупроводниковые соединения
примеси
растворимость
Формат: Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=43400
  • Фонды
  • Описание
  • Схожие документы
  • Marc-запись

Схожие документы

  • Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
    по: Васильев А. В. Альберт Васильевич
    Опубликовано: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)
  • Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
    Опубликовано: (Москва, Эдиториал УРСС, 2000)
  • Полупроводниковая электроника. Свойства материалов справочник
    по: Баранский П. И. Петр Иванович
    Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1975)
  • Полупроводниковая электроника. Свойства материалов справочник
    по: Баранский П. И. Петр Иванович
    Опубликовано: (Москва, Мир, 1978)
  • Т. 2
    Опубликовано: (1959)