MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 43351
005 20231031020139.0
010 |a 5769204281 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\44830 
090 |a 43351 
100 |a 20021008d2001 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Дефектно-примесные реакции в полупроводниках  |f А. В. Васильев, А. И. Баранов  |g Институт физики полупроводников; Российская академия наук. Сибирское отделение 
210 |a Новосибирск  |c Изд-во СО РАН  |d 2001 
215 |a 256 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр. в конце гл. 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a дефектообразование 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a кремний 
610 1 |a примеси 
610 1 |a твердые тела 
610 1 |a классификация 
610 1 |a диффузия 
675 |a 537.311.322:539  |v 3 
700 1 |a Васильев  |b А. В.  |g Альберт Васильевич 
701 1 |a Баранов  |b А. И.  |g Александр Иванович 
702 1 |a Овсюк  |b В. Н.  |4 340 
712 0 2 |a Российская академия наук  |b Сибирское отделение  |b Институт физики полупроводников (РАН СО ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\197 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20021008  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20130621  |g PSBO 
942 |c BK