Формирование DX-центров в планерно-легированном GaAs : Si в сильных электрических полях; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 3
| Parent link: | Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 126, вып. 3.— 2004.— с. 659-671 |
|---|---|
| Hlavní autor: | |
| Další autoři: | |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2004
|
| Edice: | Твердые тела |
| Témata: | |
| Médium: | MixedMaterials Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431817 |