Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле
| Parent link: | Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 126, вып. 1.— 2004.— с. 170-180 |
|---|---|
| Autor Principal: | Серов А. Ю. |
| Outros autores: | Зегря Г. Г. |
| Idioma: | ruso |
| Publicado: |
2004
|
| Series: | Твердые тела |
| Subjects: | |
| Formato: | Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431774 |
Títulos similares
Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs
por: Ханин Ю. Н.
Publicado: (2004)
por: Ханин Ю. Н.
Publicado: (2004)
Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах
por: Караваев Г. Ф.
Publicado: (2003)
por: Караваев Г. Ф.
Publicado: (2003)
Резонансное туннелирование через двумерную наноструктуру с присоединенными проводниками
por: Гейлер В. А.
Publicado: (2003)
por: Гейлер В. А.
Publicado: (2003)
Резонансное туннелирование и нелинейный отклик в высокочастотном поле
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003)
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003)
Резонансное туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка
por: Гончаров Д. В.
Publicado: (2004)
por: Гончаров Д. В.
Publicado: (2004)
Лазер на "штарковской лестнице" с когеренной электронной подсистемой
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003)
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003)
Влияние нестационарных и многочастичных эффектов на туннелирование электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.01.04.04
por: Соколовский Д. Г. Дмитрий Георгиевич
Publicado: (Томск, 1985)
por: Соколовский Д. Г. Дмитрий Георгиевич
Publicado: (Томск, 1985)
Резонансное туннелирование электронов, взаимодействующих с фононами
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003)
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
por: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicado: (2012)
por: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicado: (2012)
Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)
Особенности магнитных свойств наносистем учебно-методическое пособие
por: Лихачев Е. Р.
Publicado: (Воронеж, ВГУ, 2020)
por: Лихачев Е. Р.
Publicado: (Воронеж, ВГУ, 2020)
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)
Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах
por: Васько Ф. Т.
Publicado: (2003)
por: Васько Ф. Т.
Publicado: (2003)
Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах
por: Горбацевич А. А.
Publicado: (2003)
por: Горбацевич А. А.
Publicado: (2003)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2014)
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2014)
Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
por: Бактыбаев А. А.
Publicado: (2016)
por: Бактыбаев А. А.
Publicado: (2016)
Наноэлектроника учебное пособие
por: Дробот П. Н.
Publicado: (Москва, ТУСУР, 2016)
por: Дробот П. Н.
Publicado: (Москва, ТУСУР, 2016)
Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
por: Грушко Н. С.
Publicado: (2004)
por: Грушко Н. С.
Publicado: (2004)
Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Publicado: (2013)
Publicado: (2013)
Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)
Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
por: Филато Д. О.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
por: Филато Д. О.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Лазерное зеемановское охлаждение атомов [85Rb] в поперечном магнитном поле
por: Мелентьев П. Н.
Publicado: (2004)
por: Мелентьев П. Н.
Publicado: (2004)
LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2018)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2018)
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной монография
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publicado: (Томск, 2012)
por: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publicado: (Томск, 2012)
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2019)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2019)
Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Publicado: (2004)
Publicado: (2004)
Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
por: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicado: (2012)
por: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicado: (2012)
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2013)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2013)
Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2014)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2014)
Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)
Туннельные явления в нанофизике
por: Аладышкин А. Ю.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020)
por: Аладышкин А. Ю.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020)
Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NdSe3
Publicado: (2002)
Publicado: (2002)
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
Управляемое диссипативное туннелирование. Туннельный транспорт в низкоразмерных системах
Publicado: (Москва, Физматлит, 2011)
Publicado: (Москва, Физматлит, 2011)
Физика низкоразмерных структур учебное пособие
por: Морозов В. Г.
Publicado: (Москва, РТУ МИРЭА, 2019)
por: Морозов В. Г.
Publicado: (Москва, РТУ МИРЭА, 2019)
Резонансное поглощение электромагнитного излучения упорядоченным массивом проводящих элементов со спиральной симметрией
por: Кривин Н. Н.
Publicado: (2024)
por: Кривин Н. Н.
Publicado: (2024)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)
Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10 спец. 01.04.02
por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado: (Томск, 2009)
por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado: (Томск, 2009)
Títulos similares
-
Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs
por: Ханин Ю. Н.
Publicado: (2004) -
Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах
por: Караваев Г. Ф.
Publicado: (2003) -
Резонансное туннелирование через двумерную наноструктуру с присоединенными проводниками
por: Гейлер В. А.
Publicado: (2003) -
Резонансное туннелирование и нелинейный отклик в высокочастотном поле
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003) -
Резонансное туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка
por: Гончаров Д. В.
Publicado: (2004)