Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 125, вып. 5.— 2004.— с. 879-890
Altri autori:	Алещенко Ю. А., Жуков А. Е., Капаев В. В., Копаев Ю. В., Копьев П. С., Устинов В. М.
Lingua:	russo
Pubblicazione:	2004
Serie:	Твердые тела
Soggetti:	двухъямные гетероструктуры электронные спектры перестройка переменная размерность полупроводниковые лазеры полупроводниковые квантовые ямы нижняя лазерная подзона управление внешнее электричесое поле
Natura:	Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431698

Documenti analoghi

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
di: Грушко Н. С.
Pubblicazione: (2004)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
di: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Pubblicazione: (2012)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Pubblicazione: (2013)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
di: Филонов Н. Г.
Pubblicazione: (2002)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Pubblicazione: (2013)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1989)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2011)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Взаимодействие экситонов с лазерным излучением: [сборник статей]
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1991)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
di: Ли Цзысюань
Pubblicazione: (2017)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
di: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Квантовая теория электропроводности пространственно-неоднородных систем; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 2
Pubblicazione: (2003)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Pubblicazione: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2014)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2016)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2013)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Эпитаксильные структуры на основе твердого раствора Al Ga Sb (физические основы технологии,свойства и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Гермогенов В. П. Валерий Петрович
Pubblicazione: (Томск, Изд-во ТГУ, 1997)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
di: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
di: Чижевич Л. А.
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1974)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2018)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2016)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
di: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Pubblicazione: (2012)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2015)

Об одном подходе к регулированию объектов с переменной нагрузкой; Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика; № 2
di: Борисов Г. Б.
Pubblicazione: (2002)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2014)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
di: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Pubblicazione: (2019)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Pubblicazione: (2016)

Кембрий Сибири
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1992)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
di: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
di: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Pubblicazione: (2015)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2010)

Построение механизмов переменной структуры и исследование их динамики
di: Абдраимов С. Самутдин
Pubblicazione: (Фрунзе, Илим, 1990)

Лучистый поток тепла при нагреве тел от источника с переменной температурой; Инженерно-физический журнал; Т. 8, № 3
di: Саломатов В. В.
Pubblicazione: (1965)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
di: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Pubblicazione: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)