Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5

Podrobná bibliografie
Parent link:	Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 125, вып. 5.— 2004.— с. 879-890
Další autoři:	Алещенко Ю. А., Жуков А. Е., Капаев В. В., Копаев Ю. В., Копьев П. С., Устинов В. М.
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2004
Edice:	Твердые тела
Témata:	двухъямные гетероструктуры электронные спектры перестройка переменная размерность полупроводниковые лазеры полупроводниковые квантовые ямы нижняя лазерная подзона управление внешнее электричесое поле
Médium:	Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431698

Podobné jednotky

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
Autor: Грушко Н. С.
Vydáno: (2004)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Autor: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Vydáno: (2012)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Vydáno: (2013)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
Autor: Филонов Н. Г.
Vydáno: (2002)

Практическая биология в образовании: растительность Средней Сибири: практикум
Autor: Тупицына Н. Н.
Vydáno: (Красноярск, КГПУ им. В.П. Астафьева, 2024)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
Autor: Филато Д. О.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Мир, 1989)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2011)

Взаимодействие экситонов с лазерным излучением: [сборник статей]
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1991)

Квантовая теория электропроводности пространственно-неоднородных систем; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 2
Vydáno: (2003)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Vydáno: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2014)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Autor: Ли Цзысюань
Vydáno: (2017)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Vydáno: (Томск, 2012)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
Autor: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Vydáno: (Томск, 2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2013)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2016)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2013)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2018)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
Autor: Чижевич Л. А.
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1974)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2016)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
Autor: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Vydáno: (2012)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
Autor: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Vydáno: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2014)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2019)

Эпитаксильные структуры на основе твердого раствора Al Ga Sb (физические основы технологии,свойства и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Autor: Гермогенов В. П. Валерий Петрович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТГУ, 1997)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Vydáno: (Томск, 2010)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)