Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 124, вып. 5.— 2003.— с. 1133-1137
Autor Principal:	Кудряшов В. Е.
Outros autores:	Юнович А. Э.
Idioma:	ruso
Publicado:	2003
Series:	Твердые тела
Subjects:	туннельное излучение рекомбинация p-n-гетероструктуры нитрид галия эксперимент результаты
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431600

Títulos similares

Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
por: Мехтиев А. Ш. Ариф Шафаят оглы
Publicado: (Баку, ЭЛМ, 1991)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicado: (2011)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
por: Васенев А. С.
Publicado: (2012)

Исследование процессов переноса и накопления заряда в МДП_структурах на кремнии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Гиновкер А. С. Андрей Самсонович
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 1974)

Излучательная рекомбинация в полупроводниковых кристаллах
Publicado: (Москва, Наука, 1973)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
por: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Publicado: (2017)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicado: (2013)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2014)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Publicado: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2019)

Конкуренция сверхпроводимости и магнетизма в гетероструктурах ферромагнетик/сверхпроводник; Успехи физических наук; Т. 172, вып. 2
por: Изюмов Ю. А.
Publicado: (2002)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
por: Александров И. А. Иван Анатольевич
Publicado: (Новосибирск, 2015)

Монокристаллы полупроводниковых соединений III-V: современное производство и перспективы его развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
por: Марков А. В.
Publicado: (2003)

Рекомбинация атомов на поверхности твердых тел и сопутствующие эффекты
por: Харламов В. Ф. Владимир федорович
Publicado: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1994)

Рекомбинация атомов водорода на поверхностях твердых тел
por: Лавренко В. А. Владимир Алексеевич
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1973)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2019)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Электроника на основе нитрида галлия: пер. с англ.
por: Куэй Р. Рюдигер
Publicado: (Москва, Техносфера, 2011)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
por: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicado: (2012)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2014)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2013)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Рекомбинация носителей тока в полупроводниках: сборник статей; пер. с англ.
Publicado: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)

Влияние температурного режима спекания на структуру керамики на основе нитрида кремния и нитрида алюминия; Химия и химическая технология в XXI веке
por: Орехов А. С.
Publicado: (2019)

Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах
por: Берсукер И. Б. Исаак Борухович
Publicado: (Москва, Наука, 1983)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
por: Горбацевич А. А.
Publicado: (2003)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Publicado: (2004)

Особенности магнитных свойств наносистем учебно-методическое пособие
por: Лихачев Е. Р.
Publicado: (Воронеж, ВГУ, 2020)