Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 124, вып. 5.— 2003.— с. 1133-1137
المؤلف الرئيسي:	Кудряшов В. Е.
مؤلفون آخرون:	Юнович А. Э.
اللغة:	الروسية
منشور في:	2003
سلاسل:	Твердые тела
الموضوعات:	туннельное излучение рекомбинация p-n-гетероструктуры нитрид галия эксперимент результаты
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431600

مواد مشابهة

Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
حسب: Мехтиев А. Ш. Ариф Шафаят оглы
منشور في: (Баку, ЭЛМ, 1991)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
منشور في: (2011)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
حسب: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
منشور في: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
حسب: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
منشور في: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
حسب: Васенев А. С.
منشور في: (2012)

Исследование процессов переноса и накопления заряда в МДП_структурах на кремнии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Гиновкер А. С. Андрей Самсонович
منشور في: (Новосибирск, [Б. и.], 1974)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
منشور في: (2013)

Излучательная рекомбинация в полупроводниковых кристаллах
منشور في: (Москва, Наука, 1973)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
حسب: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
منشور في: (2017)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
حسب: Александров И. А. Иван Анатольевич
منشور في: (Новосибирск, 2015)

Конкуренция сверхпроводимости и магнетизма в гетероструктурах ферромагнетик/сверхпроводник; Успехи физических наук; Т. 172, вып. 2
حسب: Изюмов Ю. А.
منشور في: (2002)

Рекомбинация атомов на поверхности твердых тел и сопутствующие эффекты
حسب: Харламов В. Ф. Владимир федорович
منشور في: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1994)

Рекомбинация атомов водорода на поверхностях твердых тел
حسب: Лавренко В. А. Владимир Алексеевич
منشور في: (Киев, Наукова думка, 1973)

Монокристаллы полупроводниковых соединений III-V: современное производство и перспективы его развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
حسب: Марков А. В.
منشور في: (2003)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Электроника на основе нитрида галлия: пер. с англ.
حسب: Куэй Р. Рюдигер
منشور في: (Москва, Техносфера, 2011)

Рекомбинация носителей тока в полупроводниках: сборник статей; пер. с англ.
منشور في: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)

Великий просветитель Зия Камали (Эпоха. Личность. Воспоминания)
حسب: Кудашева С. С.
منشور في: (Уфа, ВЭГУ, 2015)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
منشور في: (2004)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
منشور في: (2004)

Влияние температурного режима спекания на структуру керамики на основе нитрида кремния и нитрида алюминия; Химия и химическая технология в XXI веке
حسب: Орехов А. С.
منشور في: (2019)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
حسب: Горбацевич А. А.
منشور في: (2003)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
حسب: Ли Цзень Фень
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2006)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
حسب: Васько Ф. Т.
منشور في: (2003)

Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах
حسب: Берсукер И. Б. Исаак Борухович
منشور في: (Москва, Наука, 1983)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
حسب: Ли Цзень Фень
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2006)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
حسب: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
منشور في: (2012)

Высокотемпературное газостатическое уплотнение нитрида кремния
حسب: Крыль Я. А. Ярослав Антонович
منشور في: (Киев, Наукова думка, 1993)

Особенности магнитных свойств наносистем учебно-методическое пособие
حسب: Лихачев Е. Р.
منشور في: (Воронеж, ВГУ, 2020)

Полиморфные модификации углерода и нитрида бора: справочник
منشور في: (Москва, Металлургия, 1994)

Исследование режущих свойств объемного поликристаллического нитрида титана; Инновационные технологии и экономика в машиностроении; Т. 1
حسب: Ким А. Б. Алексей Богович
منشور في: (2014)

Монополярная оптическая ориентация электронных спинов в объемных полупроводниках и гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 2
حسب: Ивченко Е. Л.
منشور في: (2004)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
حسب: Гурская А. А.
منشور في: (2004)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
حسب: Ли Цзень Фень
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2006)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2015)

Получение ароматических углеводородов из низших алканов на цеолитных катализаторах, модифицированных оксидом галия; Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций
حسب: Джалилова С. Н. София Насибуллаевна
منشور في: (2018)

Электрические методы исследования разрывов энергетических зон в полупроводниковых микро- и нано- гетероструктурах учебное пособие
حسب: Литвинов В. Г.
منشور في: (Рязань, РГРТУ, 2009)

Самораспространяющийся высокотемпературный синтез нитрида вольфрама; Современные техника и технологии; Т. 1
حسب: Толбанова Л. О. Людмила Олеговна
منشور في: (2006)