Резонансное туннелирование электронов, взаимодействующих с фононами; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 5

Резонансное туннелирование электронов, взаимодействующих с фононами; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 5

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 123, вып. 5.— 2003.— с. 1096-1105
المؤلف الرئيسي:	Елесин В. Ф.
اللغة:	الروسية
منشور في:	2003
سلاسل:	Тверндые тела
الموضوعات:	электроны туннелирование фононы взаимодействие двухбарьерная наноструктура уравнение Шридингера волновые функции резонансно-туннельные диоды
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431488

مواد مشابهة

Резонансное туннелирование через двумерную наноструктуру с присоединенными проводниками; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 4
حسب: Гейлер В. А.
منشور في: (2003)

Резонансное туннелирование и нелинейный отклик в высокочастотном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 2
حسب: Елесин В. Ф.
منشور في: (2003)

Квантовая динамика молекул, взаимодействующих с фотонами, фононами и туннельными системами
حسب: Осадько И. С.
منشور في: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2018)

Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеивание электронов сверхрешетки акустическими фононами; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
حسب: Борисенко С. И.
منشور في: (2003)

Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 3
حسب: Ханин Ю. Н.
منشور في: (2004)

Управляемое диссипативное туннелирование. Туннельный транспорт в низкоразмерных системах
منشور في: (Москва, Физматлит, 2011)

Туннелирование электрона в химии. Химические реакции на больших расстояниях
حسب: Замараев К. И. Кирилл Ильич
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1985)

Высокая интенсивность межзонных электронных переходов в двухбарьерных структурах с высокочостотным электрическим полем; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
حسب: Голант Е. И.
منشور في: (2002)

Резонансное туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 5
حسب: Гончаров Д. В.
منشور في: (2004)

Разработка методов и средств обеспечения и прогнозирования надёжности элементной базы на основе наноразмерных A3B5 резонансно-туннельных гетероструктур для радиоэлектронных систем навигации и управления ракетно-космической техникой; "Орбита молодёжи" и перспективы развития российской космонавтики
حسب: Макеев М. О.
منشور في: (2017)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
حسب: Серов А. Ю.
منشور في: (2004)

Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 1
حسب: Караваев Г. Ф.
منشور في: (2003)

Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства: учебное пособие
حسب: Шишкин Г. Г. Геннадий Георгиевич
منشور في: (Москва, БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011)

Квантовая динамика молекул, взаимодействующих с фотонами, фононами и туннельными системами
حسب: Осадько И. С. Игорь Сергеевич
منشور في: (Москва, Физматлит, 2018)

Физика квантовых низкоразмерных структур
حسب: Демиховский В. Я. Валерий Яковлевич
منشور في: (Москва, Логос, 2000)

Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
منشور في: (2002)

Лазер на "штарковской лестнице" с когеренной электронной подсистемой; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 6
حسب: Елесин В. Ф.
منشور في: (2003)

Элементы квантовой механики в физике твердого тела
حسب: Аплеснин С. С.
منشور في: (Красноярск, СибГУ им. академика М. Ф. Решетнёва, 2020)

Влияние нестационарных и многочастичных эффектов на туннелирование электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.01.04.04
حسب: Соколовский Д. Г. Дмитрий Георгиевич
منشور في: (Томск, 1985)

Исследование применимости резонансного индукционного датчика при контроле роторных агрегатов; Измерительная техника; № 5
حسب: Темнов В. С.
منشور في: (2003)

Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NdSe3; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
منشور في: (2002)

Резонансное взаимодействие инфракрасного лазерного поля с многоатомными молекулами: сборник
منشور في: (Москва, Наука, 1990)

Т. 1 : Общие вопросы теории. Туннельные и транзисторные усилители и детекторы СВЧ; Полупроводниковые входные устройства СВЧ
منشور في: (1975)

Cправочник по зарубежным диодам; Ч. 2
منشور في: (Москва, Солон-Р, 2000)

Конструкции фурм для продувки расплава методом резонансно-пульсирующего рафинирования; Исследования молодых - регионам; Т. 1
حسب: Жерновенков А. Н.
منشور في: (2011)

Электронные измерения и измерение параметров полупроводниковых приборов: учебник
حسب: Криштафович А. К. Алексей Константинович
منشور في: (Москва, Высшая школа, 1969)

Вып. 110; В помощь радиолюбителю
منشور في: (1991)

Разработка и изготовление прибора для измерения сопротивления потерь туннельных диодов: Отчет о НИР; Тема: № 106/70
منشور في: (Томск, 1971)

Схемы на полупроводниковых диодах: пер. с нем.
حسب: Лукес Ю. Х.
منشور في: (Москва, Энергия, 1972)

Полупроводниковые диоды и схемы с диодами: справочное пособие
حسب: Ровдо А. А. Алексей Александрович
منشور في: (Москва, Лайт Лтд, 2000)

Физика полупроводниковых приборов: пер. с англ.
حسب: Зи С. М.
منشور في: (Москва, Энергия, 1973)

Преобразователи частоты на туннельных диодах: учебное пособие
حسب: Подлесный С. А. Сергей Антонович
منشور في: (Красноярск, 1971)

Применение туннельных диодов для коррекции импульсных полупроводниковых усилителей: Реферативный обзор; Тема : г/б.
منشور في: (Томск, 1963)

Низкочастотные усилители на негатронах; Энергетика: экология, надежность, безопасность; Т. 1
حسب: Шустов М. А. Михаил Анатольевич
منشور في: (2003)

Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник
منشور في: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)

Применение туннельных диодов в импульсной технике
حسب: Воскресенский В. В. Владимир Владимирович
منشور في: (Москва, Связь, 1974)

Пороговая нуклеация нанометровой периодической структуры адатомов с участием повехностной статической акустической волны; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
حسب: Емельянов В. И.
منشور في: (2002)

Полупроводники и их применение
حسب: Носов В. Н. Владимир Николаевич
منشور في: (Москва, Изд-во ДОСАФ СССР, 1968)

Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник
منشور في: (Москва, Энергоатомиздат, 1987)

Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам
منشور في: (Москва, Энергия, 1976)