Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Журнал экспериментальной и теоретической физики=ЖЭТФ/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1931-.— 0044-4510 Т. 123, вып. 1.— 2003.— с. 172-188
Autor Principal:	Горбацевич А. А.
Outros autores:	Жабицкий О. В.
Idioma:	ruso
Publicado:	2003
Series:	Твердые тела
Subjects:	топологические переходы размерно-квантованные гетероструктуры спектры дырок гамильтонианы Латтинжера квантовые ямы одноосное напряжение
Formato:	Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=431408

Títulos similares

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
por: Васько Ф. Т.
Publicado: (2003)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
por: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicado: (2012)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Сверхпроводниковые топологические электрические машины
por: Антонов Ю. Ф.
Publicado: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2009)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
por: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
por: Серов А. Ю.
Publicado: (2004)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2014)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
por: Бактыбаев А. А.
Publicado: (2016)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Publicado: (2013)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
por: Грушко Н. С.
Publicado: (2004)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2016)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
por: Филато Д. О.
Publicado: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Использование размерно-селективного осаждения для синтеза наночастиц гептасульфида рения; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 2
por: Клюшова Е. С.
Publicado: (2025)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2018)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Publicado: (2004)

Физика наносистем
por: Кульбачинский В. А. Владимир Анатольевич
Publicado: (Москва, Физматлит, 2022)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2019)

Экситоны и биэкситоны в размерно-ограниченных системах
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1990)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
por: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicado: (2012)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2015)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2013)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado: (2014)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publicado: (Томск, 2012)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
por: Курочка С. П.
Publicado: (Москва, МИСИС, 2015)

Физика низкоразмерных структур учебное пособие
por: Морозов В. Г.
Publicado: (Москва, РТУ МИРЭА, 2019)

Основы квантовой электроники: пер. с англ.
por: Пантел Р.
Publicado: (Москва, Мир, 1972)

Гамильтониан структурнонеустойчивого кристалла; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 308, № 6
por: Слядников Е. Е. Евгений Евгеньевич
Publicado: (2005)

Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках
por: Ханефт А. В.
Publicado: (Кемерово, КемГУ, 2014)

Каскадно-лавинная генерация электрон-дырочных пар в квантовых ямах типа II; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 3
por: Перлин Е. Ю.
Publicado: (2003)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур
por: Тимофеев В. Б.
Publicado: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (Томск, 2013)

Лазер на "штарковской лестнице" с когеренной электронной подсистемой; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 6
por: Елесин В. Ф.
Publicado: (2003)

Введение в физику наноструктур учебное пособие для вузов
por: Маслов М. М.
Publicado: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2011)

Исследование колебательно-вращательного спектра поглощения молекулы AsD3 в районе 1350...1700 см-1; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 2
por: Бехтерева Е. С. Елена Сергеевна
Publicado: (2006)

Топологические пространства функций
por: Архангельский А.В. Александр Владимирович
Publicado: (Москва, Изд-во МГУ, 1989)