Угловое распределение электронов за барьерами, сравнимыми с экстраполированным пробегом; Известия вузов. Физика; № 5

Dades bibliogràfiques
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411
№ 5.— 1975.— С. 35-38
Autor principal: Бойко В. И. Владимир Ильич
Altres autors: Евстигнеев В. В.
Sumari:Исследовано угловое распределение моноэнергетических электронов бета­трона, прошедших барьеры из Аl, Си, РЬ, толщина которых достигала экстраполи­рованного пробега. Диапазон начальных энергий электронов 3-8 МэВ. Результа­ты эксперимента хорошо совпадают с расчетом методом Монте-Карло, выполнен­ным для тождественных условий, и с результатами предшествующих работ для меньших барьеров. Показано, что полуширина углового распределения электронов, увеличиваясь с ростом толщины барьера, достигает почти постоянной величины, а само распределение подчиняется законам полной диффузии, т. е. переходит к распределению, подобному cos 2θ. С дальнейшим увеличением толщины погло­тителей полуширина уменьшается, распределение становится более узким, что объ­ясняется проникновением на большие глубины поглотителей электронов, испытав­ших преобладающее рассеяние в переднем направлении
Idioma:rus
Publicat: 1975
Matèries:
Format: Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=427472

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 427472
005 20231101074644.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\86679 
090 |a 427472 
100 |a 20100913a1975 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Угловое распределение электронов за барьерами, сравнимыми с экстраполированным пробегом 
320 |a Библиогр.: с.38 
330 |a Исследовано угловое распределение моноэнергетических электронов бета­трона, прошедших барьеры из Аl, Си, РЬ, толщина которых достигала экстраполи­рованного пробега. Диапазон начальных энергий электронов 3-8 МэВ. Результа­ты эксперимента хорошо совпадают с расчетом методом Монте-Карло, выполнен­ным для тождественных условий, и с результатами предшествующих работ для меньших барьеров. Показано, что полуширина углового распределения электронов, увеличиваясь с ростом толщины барьера, достигает почти постоянной величины, а само распределение подчиняется законам полной диффузии, т. е. переходит к распределению, подобному cos 2θ. С дальнейшим увеличением толщины погло­тителей полуширина уменьшается, распределение становится более узким, что объ­ясняется проникновением на большие глубины поглотителей электронов, испытав­ших преобладающее рассеяние в переднем направлении 
461 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |x 0021-3411  |t Известия вузов. Физика  |f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет  |d 1958- 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\76796  |t № 5  |v С. 35-38  |d 1975 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Бойко  |b В. И.  |c российский физик-ядерщик, доктор физико-математических наук  |c профессор Томского политехнического университета  |f 1943-  |g Владимир Ильич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21949  |4 070 
701 1 |a Евстигнеев  |b В. В.  |4 070 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20100913 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20100913  |g RCR 
942 |c BK