Угловое распределение электронов за барьерами, сравнимыми с экстраполированным пробегом
| Parent link: | Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-.— 0021-3411 № 5.— 1975.— С. 35-38 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Исследовано угловое распределение моноэнергетических электронов бетатрона, прошедших барьеры из Аl, Си, РЬ, толщина которых достигала экстраполированного пробега. Диапазон начальных энергий электронов 3-8 МэВ. Результаты эксперимента хорошо совпадают с расчетом методом Монте-Карло, выполненным для тождественных условий, и с результатами предшествующих работ для меньших барьеров. Показано, что полуширина углового распределения электронов, увеличиваясь с ростом толщины барьера, достигает почти постоянной величины, а само распределение подчиняется законам полной диффузии, т. е. переходит к распределению, подобному cos 2θ. С дальнейшим увеличением толщины поглотителей полуширина уменьшается, распределение становится более узким, что объясняется проникновением на большие глубины поглотителей электронов, испытавших преобладающее рассеяние в переднем направлении |
| Language: | Russian |
| Published: |
1975
|
| Subjects: | |
| Format: | Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=427472 |
| Summary: | Исследовано угловое распределение моноэнергетических электронов бетатрона, прошедших барьеры из Аl, Си, РЬ, толщина которых достигала экстраполированного пробега. Диапазон начальных энергий электронов 3-8 МэВ. Результаты эксперимента хорошо совпадают с расчетом методом Монте-Карло, выполненным для тождественных условий, и с результатами предшествующих работ для меньших барьеров. Показано, что полуширина углового распределения электронов, увеличиваясь с ростом толщины барьера, достигает почти постоянной величины, а само распределение подчиняется законам полной диффузии, т. е. переходит к распределению, подобному cos 2θ. С дальнейшим увеличением толщины поглотителей полуширина уменьшается, распределение становится более узким, что объясняется проникновением на большие глубины поглотителей электронов, испытавших преобладающее рассеяние в переднем направлении |
|---|